含水汽气氛扩散的微晶玻璃片状源特性及其在CMOS中的应用

硼微晶玻璃扩散源使用方便,价格低廉,在半导体器件制造中已应用较长时间。但它在一般预淀积温度下,淀积在半导体表面的硼硅玻璃较薄,浓度不易提高。如果提高温度,则会引起源片翘曲,且在硅片表面形成一层有害的硼硅相。因此,这种源片很少在高密度的集成电路中应用。本工作着重研究了在预淀积中增加并控制一定量的水汽在整个饱和气 体中的含量,使源片表面HBO_2的蒸发速率明显提高(HBO_2饱和蒸气压比B_2O_3大得多),从而得到一层更均匀,浓度更高,且较厚的的硼硅玻璃层。通过实验,给出了在不同的水汽含量及温度下与硼硅玻璃厚度t_(ox),薄层电阻ρ_S的关系曲线,得到了t_(ox),p_s均匀性、重复性曲线和纵向杂质分布曲线,并与常规预淀积条件下的t_(ox),ρ_S均匀性,重复性曲线,和杂质分布曲线作了比较。最后指出:该工艺在短沟道CMOS技术中,制作浅结p~+漏、源有特殊好处。克服了离子注入工艺中的“沟道效应”,为制作短沟道CMOS电路提供了方便。     

数字微镜器件的优化设计

为了改善数字微镜器件(DMD)的性能，提出了一种新的优化设计方法.基于数字微镜器件的工作原理及数学模型，利用一个带复位功能、由一个反相器和一个或非门耦合的同步动态存储器(SDRM)来存储数据，并使用一个由两个耦合的反相器构成的电平转换器来提升电压和缩减芯片面积.采用基于数据打散及重排序的预加载、错时更新的脉冲宽度调制技术(PWM)来降低芯片中的时钟速度要求，进而降低存储器数据总线的最大带宽.结果表明，分辨率为1280×1024像素、显示精度为9位的DMD芯片的数据总线最大带宽降到14.748 Mps.该优化设计方法能适用于不同分辨率、不同显示精度的显示模式.     

利用蓝牙技术组建无线办公网络

数字技术的发展,使得现代化的办公室里出现了许多数字设备。然而由于它们的通信标准不一样,因此实现任何办公设备间通信在目前还是比较困难的。蓝牙技术作为一种用于实现语音和数据无线传输的开放性全球规范,同时得到了通信界和计算机界的支持。作为一种无线空中接口,它可以实现任何办公设备间的快捷、方便的互联。在蓝牙技术的基础上提出了一种办公室近距离无线网络的实现模型。     

等离子体气相沉积非晶SiO2薄膜的特性研究

用傅立叶红外吸收光谱 ,电子自旋共振 ,表面台阶仪等研究了等离子体增强化学气相沉积法制备的非晶SiO2 薄膜的特性与膜厚的关系。当膜厚从 0 1 μm递增到 1 1 μm时 ,1 0 60cm- 1 附近的Si—O—Si伸缩振动吸收峰从 1 0 50cm- 1 漂移到1 0 75cm- 1 ,但是 80 0cm- 1 处的Si—O—Si弯曲振动吸收峰不随膜厚变化而变化。通过比较 ,由于多重反射而引起的Si—O—Si伸缩振动吸收峰漂移的理论计算值 ,认为本研究中的Si—O—Si伸缩振动吸收峰的漂移不仅是由于多重反射效应 ,而且更主要是由于薄膜的物理性能随膜厚增加而发生了变化。Si悬挂键密度、应力以及HF缓冲溶液中的腐蚀速度等实验结果验证了以上的观点     

高速高增益运算放大器的设计及应用

本文设计了一种高速高增益放大器,该放大器通过增加全差分的共源共栅电路作为辅助放大器来提高运放增益,并采用频率补偿和钳位管相结合的技术改善运放的频响特性,使得运放在通频带范围内类似于单极点运放,大大减少了运放的转换时间.采用SMIC的0.35μm工艺模型进行仿真,结果表明,运放的直流增益达到110dB,带宽266MHz(负载电容 Cload=1pF),相位裕度55°,只需10ns即可达到0.1%的稳定精度,因而是一种有效的高速高精度运放的实现途径.     

新型高速串行接口链路层的电路设计与实现

USB2.0协议规定了高速模式下的数据传输速度为480Mbps,可满足图像、音频信号等数据传输的要求.本文论述了USB2.0中链路层数据的传输机制和高速数字硬件模块功能,提出了一种新颖的基于全数字锁相环(ADPLL)的全速模式数据恢复电路,以及为满足480Mbps传输速度的高速编解码的并行设计方法.设计采用TSMC 0.25μm CMOS工艺库.电路的前后仿真结果表明设计的电路达到了480MHz的处理速度,并在FPGA上进行了功能验证.     

等离子体化学气相沉积非晶SiOx∶H（0≤x≤2.0）薄膜的红外光谱

以等离子体化学气相沉积法（PECVD）在300℃下用SiH4和O2混合气体制备了非晶SiOx∶H (a-SiOx∶H,0≤x≤2.0) 薄膜,并用傅里叶红外光谱（FT-IR）测试分析了薄膜中的Si—O—Si键红外吸收特性.Si—O—Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm-1附近有两个吸收峰,而弯曲振动模在800cm-1附近有一个吸收峰.1050cm-1和1150cm-1吸收带的吸收强度之和Isum与薄膜中的Si原子密度NSi之比Isum/NSi在氧含量x=0—2.0的范围内和x成正比.求得氧含量比例系数ASiO（Si—O谐振子强度的倒数）为1.48×1019cm-1.另外,a-SiO2薄膜的800cm-1和1050cm-1吸收峰的表观吸收系数αapp和膜厚d成正比:αapp=kd,求得吸收比例系数k分别为3.2×103和2.9×104cm-1.比较发现k值的大小和a-SiO2薄膜的致密性密切相关.利用上述ASiO和k比例系数,可快速简便地用非破坏性的FT-IR测定PECVD a-SiOx∶H的氧含量x以及a-SiO2的膜厚d.     

一种新型的用于高速串行接口电路中的接收器

本文提出了一种新型的符合计算机与外围设备间通用串行接口USB(Universal Serial Bus)2．0高速模式(480Mb／s数据传输率)的高精度接收器电路，并分析了其设计思路和设计方案。这种高精度接收器由三级电路组成：电压转换级、数据采样级和数据保持级。电路设计基于TSMC的CMOS 0．25μm混合信号模型。仿真结果表明，这种接收器在500Mb／s的信号传输速率下，将输入数据的上升和下降时间从700ps降至140ps，提高了高速串行通信中采样数据的准确度，以保证可靠、正确接收数据。     

ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究

以Si(111)衬底,用脉冲激光沉积(PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器.Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的.对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触,紫外探测器的电阻值在100KΩ左右.在紫外区域,其5V偏压下的光响应度为0.5A/W.     

LDO低输出噪声的分析与优化设计

为了降低一款LDO芯片的输出噪声,对LDO的噪声特性进行分析,根据其噪声特点,提出了三种降低LDO输出噪声的方法,分别是改变LDO的电路结构,对带隙基准进行滤波,设计低噪声带隙基准。在综合考虑芯片的面积和功耗后,采用第三种方法对一款LDO芯片输出噪声进行优化,设计了一个低噪声带隙基准（Bandgap reference）,在TSMC0.35μm工艺下仿真表明,10Hz到100kHz之间的集成输出噪声（Integrated output noise）从原来的808μV,降低到280μV。采用低噪声带隙基准可以有效的降低LDO芯片的输出噪声。