光敏性二胺的合成研究

简述了光敏性二胺中间体在光敏聚酰亚胺合成中的作用和特点:研究了光敏性二胺中间体的合成方法与工艺;探讨了溶剂、温度、催化剂等因素对合成反应的影响规律:对产物的结构进行了测试。     

在汞电极上电还原糖得到相应多元醇的研究

研究了在碱性介质中汞电极上电还原单糖、二糖得到相应的多元醇。实验结果表明,电极过程由在汞表面吸附糖的电子转移及动力学混合控制。但电位电解的结果显示,其电解选择性为100%,对乳糖、葡萄糖及果糖的电流效率分别为60%、74%及80%,其电解产物为相应的多元醇。并报道了二糖的电还原研究结果,提出了糖类电还原机理。     

中小型锅炉燃煤/燃浆脱硫对比试验研究

笔者通过在DZS2.8-0.7/95/70-A燃煤热水锅炉和SZS2.8-0.7/95/70-A水煤浆热水锅炉上进行燃煤/燃浆脱硫的对比试验,得出燃用水煤浆可以在不另加脱硫设施的情况下,实现SO2的达标排放。     

NC 机床评价系统中机床比例评价方法及实现

对典型数控机床计算机辅助评价系统的主要模块——比例评价模块方法和结构以及比例评价模块的两个分模块的实现方法作了详细的描述。     

一种大功率宽频带电源滤波器研制

电源滤波器是一种重要的电磁脉冲防护器件。现有滤波器主要针对高空爆核电磁脉冲和高功率微波设计,且额定功率较低,无法满足地面爆核电磁脉冲和区域供电的防护需求。基于阻抗分析,设计滤波单元所采用的结构电路,计算电路器件的性能参数并进行了器件选型,通过数值仿真手段对电路整体进行分析验证,进而完成工程设计与实现,最终研制了一种大功率宽频带电源滤波器,并对其性能进行测试考核,可满足大型屏蔽设施针对不同强电磁脉冲的强电传导防护需求。     

电子封装中高散热铜/金刚石热沉材料的电镀技术研究

随着半导体封装载板集成度的提升,其持续增加的功率密度导致设备的散热问题日益严重。金刚石-铜复合材料因其具有高导热、低膨胀等优异性能,成为满足功率半导体、超算芯片等电子封装器件散热需求的重要候选材料。文章采用复合电镀法成功制备了铜/金刚石复合材料,考察了不同复合电镀的工艺方法、金刚石含量、粒径大小对复合材料微观结构、界面结合以及导热性能的影响。并通过优化复合电镀方式,金刚石添加量等工艺参数,制备了无空洞、界面结合紧密的高导热复合材料;仅添加8.8 vol%的金刚石,使复合材料的导热率从393 W/(m.K)增加到462 W/(m.K)。本技术可以应用于半导体封装领域,并进一步增强芯片的散热性能。     

带有和不带缀板薄壁压杆弯扭屈曲计算问题

导出了带有和不带缀板单轴对称开口截面薄壁压杆弯扭屈曲计算公式 .该式物理意义清楚 ,形式规范 .通过采用关系式 lω =kωl,解决了现行设计规范关于lω 定义中存在的问题 .缀板的作用是使lω 值减小 ,恰似构件长度方向上的扭转约束支点的作用一样 .最后 ,对现行钢结构设计规范中空缺的α和lω 值提出了补充 .     

有机溶剂纳米SiO2溶胶的制备和性能

提出了一种经济、简便、实用的制备沸点高于100℃的有机溶剂SiO2溶胶的方法,可制备出无色、澄清、透明、浓度为5％-10％的有机硅溶胶,在pH值6—9范围内稳定．使用HaCS1（OCH3）3作为封端剂可阻止SiO2溶胶凝胶化,其作用机制在于：通过封端剂分子水解出的活性羟基,与SiO2粒子表面活性基团反应,阻断溶胶粒子的生长,使溶胶稳定性提高．以这种有机溶剂纳米SiO2溶胶作为铝电解电容器工作电解液中添加剂,可改善电容器的性能,使其耐压有较大提高．     

ZT值温度依存性对温差发电器热电性能的影响

为了评估热电材料ZT值温度依存性对热电发电器性能的影响,基于HZ-20商用热电材料的热物性参数,分别采用定物性与变物性的计算方法,对温差发电器在具有不同热源温度下的工作性能进行理论研究。研究结果表明,当采用定物性方法计算时(即不考虑ZT值温度依存性),输出功率及相应转换效率的计算值都较采用变物性计算时存在一定的偏差。当半导体热端温度低于定物性计算时采用的定性温度值时,偏差很小,但随着半导体热端温度的继续增加,偏差则越来越大,高热端温度下计算得到的计算偏差达30%左右。因此,热电材料ZT值温度依存性对温差发电器热电性能的影响不容忽视。     

电流密度对硫酸盐光亮镀锡的影响

在电流密度为0.01～0.05 A/cm~2的条件下进行光亮锡镀。研究了电流密度对阴极过电位、电流效率及镀层厚度的影响,并用SEM和XRD对镀层的表面形貌和晶粒的择优取向进行了表征。结果表明:随着电流密度的增大,阴极过电位和镀层厚度不断增加,电流效率先增大后减小。在较低的电流密度下得到的镀层表面较为均匀、致密;当电流密度高于0.03 A/cm~2时,镀层表面出现较多孔隙,粗糙度增加。不同电流密度下,晶粒的择优取向不同。当电流密度高于0.03 A/cm~2时,晶粒的择优取向由(101)晶面和(211)晶面向(220)晶面转变。