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21.
晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状 总被引:2,自引:0,他引:2
晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同,晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展,最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况,指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。 相似文献
22.
Ti-45Al-10Nb合金的高温氧化行为 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了Ti—45A1—10Nb(原子分数,%)合金在800-960℃在氧气和空气中的氧化行为.结果表明,该合金具有较好的高温抗氧化性能,其氧化增重速率与铁基耐热不锈钢相似或略优.与Ti—50A1合金相反,Ti-45A1-10Nb合金在空气中的氧化增重速率明显低于在纯氧中的氧化增重速率.X射线衍射与能谱分析表明,Ti-45Al一10Nb合金在氧气中的氧化产物主要有TiO2和Al2O3,但在空气中的氧化产物中有TiN相.这是降低氧化速率的主要原因,同时,合金元素Nb稳定了氧化层中的TiN相,因而提高了合金在空气中的抗氧化性能. 相似文献
23.
24.
纳米薄膜的分类、特性、制备方法与应用 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了纳米薄膜的分类以及纳米薄膜的光学、力学、电磁学与气敏特性;综述了现有的溶胶鄄凝胶法、LB鄄膜法、电化学沉积法、化学汽相沉积、低能团簇束沉积法、真空蒸发法、溅射沉积、分子与原子束外延、分子自组装等纳米薄膜制备技术;概括了纳米薄膜的应用。 相似文献
25.
掺铒光纤放大器(EDFA)和拉曼放大器(FRA)的使用,使得光纤通信系统中的入纤功率有了很大的提高.较高的入纤功率不仅会在光纤中引起各种非线性效应,对光脉冲的传输产生影响,也会对光纤本身的可靠性产生影响,为此介绍了高入纤功率对光纤系统的影响,分析了其产生的机理,并提出了应对措施. 相似文献
26.
27.
ChenluSONG WenjianWENG KuiCHENG HaiboQU PiyiDU GeSHEN GaorongHAN JuanYANC JoseM.F.Ferreira 《材料科学技术学报》2003,19(5):495-499
Fluorapatite/hydroxyapatite solid solution has better biological properties than other apatites, especially used as films or coatings. In this work, sol-gel preparation and in vitro behavior of fluorapatite/hydroxyapatite solid solution films on titanium alloy were investigated. Ca(NO3)2-4H20 and PO(OH)x(OEt)3-x were selected as precursors, and hexafluorophosphoric acid (HPFo) was used as a fluorine containing reagent. The Ca and P precursors were mixed with HPFo to keep the Ca/P molar ratio 1.67. The mixtures refluxed for 12 h were used as dipping sols for the preparation of the films. The phase of the films obtained at 600℃ was apatite. The F contents in the films increased with the concentrations of HPF6 in the dipping sols. The solid solution films were shown to have better stability than hydroxyapatite films, and a reasonably good bioactivity in the in vitro evaluation. 相似文献
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30.
混合冷媒气液相充注对冷媒成分的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
申广玉 《制冷与空调(北京)》2002,2(5):51-53
R40 7C、R5 0 7A、R40 4A和R410A混合冷媒按气、液相方式进行充注时 ,冷媒容器内的冷媒成分会或多或少地随着冷媒容器移充填率的变化而变化。因此 ,本文建议充注任何混合冷媒时 ,都应该采用液相方式进行充注 ,同时为了将冷媒成分变化控制在 2 %以内 ,R40 7C冷媒容器中最后的 10 %冷媒剩余量不应再进行充注 ,R5 0 7A、R40 4A和R410A冷媒容器中的最后冷媒剩余量可控制在 5 %。 相似文献