首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   60914篇
  免费   6134篇
  国内免费   3367篇
工业技术   70415篇
  2024年   297篇
  2023年   1141篇
  2022年   2209篇
  2021年   2942篇
  2020年   2236篇
  2019年   1752篇
  2018年   1829篇
  2017年   2205篇
  2016年   1941篇
  2015年   2855篇
  2014年   3493篇
  2013年   4139篇
  2012年   4408篇
  2011年   4891篇
  2010年   4282篇
  2009年   4166篇
  2008年   4077篇
  2007年   3599篇
  2006年   3304篇
  2005年   2654篇
  2004年   1700篇
  2003年   1358篇
  2002年   1273篇
  2001年   1156篇
  2000年   982篇
  1999年   975篇
  1998年   792篇
  1997年   660篇
  1996年   620篇
  1995年   562篇
  1994年   444篇
  1993年   356篇
  1992年   240篇
  1991年   217篇
  1990年   146篇
  1989年   118篇
  1988年   96篇
  1987年   58篇
  1986年   53篇
  1985年   33篇
  1984年   23篇
  1983年   27篇
  1982年   21篇
  1981年   16篇
  1980年   21篇
  1979年   12篇
  1976年   4篇
  1967年   3篇
  1959年   3篇
  1951年   6篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
通过对中央空调水系统安装的特点分析,确定了应用效果良好的试压步骤。  相似文献   
62.
本文介绍了可在微机上实现大规模电信网践模拟的实用化软件SIMUNET,及基所采用的无时钟事件追踪法。该软件可用规划中的电信网络和实际网路的模拟及性能评价,也可用于不同流量控制算法的评价。文中给出一个评价实例。  相似文献   
63.
雾化水流计算模式   总被引:21,自引:1,他引:20  
本文描述了雾化水流现象并提出了雾化水流的一个计算模型。得出了雾化水流影响领域的各种不同的计算公式和方法。  相似文献   
64.
This paper reports a simple I-V method for the first time to determine the lateral lightly-doped source/drain (S/D) profiles (n- region) of LDD n-MOSFETs. One interesting result is the direct observation of the reverse-short-channel effect (RSCE). It is observed that S/D n- doping profile is channel length dependent if reverse short-channel effect exists as a result of the interstitial imperfections caused by Oxide Enhanced Diffusion (OED) or S/D implant. Not only the lateral profiles for long-channel devices but also for short-channel devices can be determined. One other practical application of the present method for device drain engineering has been demonstrated with a LATID MOS device drain engineering work. It is convincible that the proposed method is well suited for the characterization and optimization of submicron and deep-submicron MOSFETs in the current ULSI technology  相似文献   
65.
焦化防砂室内实验研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
梁金国  张克舫 《石油学报》1998,19(2):132-134
油井防砂工艺技术的研究与发展对疏松砂岩油藏的正常开采至关重要.焦化防砂是通过向地层内注入热空气使原油在高温下发生氧化裂解生成焦炭从而将地层砂固结的一种防砂新技术.为了对该项技术进行全面系统的理论分析与评价,设计并制作了一套焦化防砂实验装置,利用该装置进行了焦化防砂室内实验研究.焦化效果以岩样的抗压强度进行评价,实验结果表明,影响焦化后岩样抗压强度的主要因素为空气最高温度、处理时间和空气流量.此外,对焦化处理后的岩样所作的岩样组成分析揭示出,稠油胶结机理为氧化作用使部分油分和胶质变成沥青质,沥青质受到高度的缩合作用而成为高分子量的甲苯不溶物.由于新生胶质的氧化比原生胶质的氧化困难得多,因此适合焦化防砂的油层,其原油必须含有一定量的原生胶质和沥青质.  相似文献   
66.
Recent studies have suggested that cytokines play a critical role in the pathophysiology of alopecia areata; however, no information is available regarding the difference in cytokine profiles in these patients. Serum levels of cytokines, including interferon gamma (IFN-gamma), tumor necrosis factor alpha, interleukin 1 alpha (IL-1 alpha), IL-2, IL-4, and IL-6, were measured using radioimmunoassay or enzyme-linked immunosorbent assay techniques in patients with the localized form and the extensive form (alopecia universalis). The serum levels of IL-1 alpha and IL-4 were significantly elevated in patients with the localized form. In contrast, the serum levels of IFN-gamma and IL-2 were significantly elevated in patients with the extensive form. These results indicate that immune responses in the localized form and the extensive form of alopecia areata are regulated by Th2 cytokines and Th1 cytokines, respectively.  相似文献   
67.
文中严格地讨论了任意截面形状,任意模式的柱形谐振腔Q值与构成该谐振器的传输线衰减常数间的关系,给出了更一般的公式,推广了Davidson和Sim-monds^[1]、Barlow和Cullen^[2]以及Yeh和Shimabukuro^[3,4]的结果。  相似文献   
68.
本文涉及玻璃钢猎扫雷艇艇体材料的优选、铺层设计和工艺等内容。试验确定了以1629间苯聚酯树脂为基体、以900g/m2无碱无捻粗纱短切毡(M)和810g/m2无碱无捻粗纱方格布(R)为增强体以及(M+R)为基本铺层设计单元的方案。试验表明,按上述材料和铺层制作的层板,性能达到Lerici和MHC-51艇壳层板的指标要求。  相似文献   
69.
梁进国 《电网技术》1995,19(3):49-53
本对分裂导线传输电磁波的模式理论进行了分析,从所解特征根中选择一组最简单的模分量传递信息,并阐述了传输规律。  相似文献   
70.
黄土塬区复杂的地表条件难以获得可供解释的物探资料,本文给出了勘探天然气的地震技术,在野外弯线地震数据采集中,冲沟区运用了弯线高分辨率技术;塬上区采用非纵测线和地震测深观测系统,大药量、深井和强化组合法的接收条件。初步解决了弯线地震资料处理中二维滤波、静校正、速度分析等技术难题。摸索出一套以地震为骨架,构造解释与岩性解释相结合,重力-电法-地震联合解释落实古生界天然气构造圈闭的综合物探解释技术,并以实例展示方法的有效性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号