利用双层胶方法去除负性光刻胶残胶效果研究

提出了一种双层胶工艺去除表面残胶的新方法,即以正性光刻胶为底层胶膜、负性光刻胶为顶层胶膜,能有效地去除基底残胶。研究了正性光刻胶粘度和厚度对平均残胶量的影响,实验表明:转速为3000 r/min、厚度为1.36μm旋涂的低粘度正胶AZ703对去胶有明显效果;研究了底层胶膜缩进距离d和图形完整性的关系,实验表明:当底层胶膜缩进距离d达到8μm时,图案完整,且使顶层胶膜与基底接触面积最小化,达到进一步减少残胶的效果。     

国有大型企业的企业文化建设

中国经济的飞速发展,使企业间的竞争更加激烈,要想在竞争中立于不败之地,企业加强自身的文化建设就显得至关重要。从理论方面论述了企业文化的科学涵义及其核心,并重点结合实践论述了国有大型企业企业文化建设的关键问题,突出强调了"以人为本"是企业文化建设的立足点;指出创新型企业文化建设的重要性。     

SiGe沟道SOI CMOS的设计及模拟

在 SOI(Silicon on Insulator)结构硅膜上面生长一层 Si Ge合金 ,采用类似 SOICMOS工艺制作成具有Si Ge沟道的 SOICMOS集成电路。该电路不仅具有 SOICMOS电路的优点 ,而且因为 Si Ge中的载流子迁移率明显高于 Si中载流子的迁移率 ,所以提高了电路的速度和驱动能力。另外由于两种极性的 SOI MOSFET都采用 Si Ge沟道 ,就避免了只有 SOIPMOSFET采用 Si Ge沟道带来的选择性生长 Si Ge层的麻烦。采用二维工艺模拟得到了器件的结构 ,并以此结构参数进行了器件模拟。模拟结果表明 ,N沟和 P沟两种 MOSFET的驱动电流都有所增加 ,PMOSFET增加得更多一些     

CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.     

LOGO控制设备在仓储中的运用

本篇通过LOGO逻辑编程中的各种模块有效的组合,在设定的导通时间由不论自动信号控制,还是手动信号控制,或者其他形式的控制,形成一个安全稳定的运行电路.     

动态应变测试技术在桩基承载力和完整性检测中的应用

对检测桩基承载力和完整性的高、低应变动测原理进行分析,并结合工程实例对两种动测方法同静载试验进行了比较和相互验证,其检测结果基本一致,同时指出了它们的缺陷和不足,为其他类似工程的设计和应用提供了参考。     

浅析公路桥头跳车及防治措施

简要分析桥头跳车原因,提出减少桥头跳车的防治措施及介绍高速公路桥梁台背回填施工控制措施和效果。     

CMOS兼容近红外Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si p-i-n(SOI)光电探测器(英文)

报道了一种采用 U HV/CVD锗硅工艺和 CMOS工艺流程在 SOI衬底上制作的横向叉指状 Si0 .7Ge0 .3/Si p- i-n光电探测器 .测试结果表明 :其工作波长范围为 0 .7～ 1.1μm,在峰值响应波长为 0 .93μm,响应度为 0 .38A/W.在3.0 V的偏压下 ,其暗电流小于 1n A,寄生电容小于 1.0 p F,上升时间为 2 .5 ns.其良好的光电特性以及与 CMOS工艺的兼容性 ,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试 ,在高速光信号探测等应用中有一定的价值     

环境保护和节能及绿色建筑

解释了绿色建筑体系的新概念，论述了绿色建筑的能源观、设计观以及技术观，体现了环境保护、节能与绿色建筑三者间的协调发展模式，从而创造保护生态且能够可持续发展的人类生存环境。     

GeSiMOSFET的纵向结构对器件性能的影响

为了研究器件参数对GeSi MOSFET器件性能的影响,本文在建立一个简单的GeSi MOSFET的器件模型的基础上,对GeSi MOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析.确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DELTA掺杂浓度以及量子阱阱深之间的关系,得出了阈值电压与DELTA掺杂浓度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系,还得出了栅压与沟道载流子面密度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系.并且在此基础上得出了一些有意义的结果.为了更细致、精确地进行分析,我们分别对GeSi PMOSFET和GeSi NMOSFET在MEDICI上做了模拟.