全文获取类型
收费全文 | 119篇 |
免费 | 7篇 |
国内免费 | 9篇 |
学科分类
工业技术 | 135篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 10篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 11篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 7篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 11篇 |
2013年 | 9篇 |
2012年 | 14篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 11篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 1篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 5篇 |
1992年 | 2篇 |
1990年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有135条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
分析"无机及分析化学实验"课程研究生助教活动的积极作用和消极影响。在这个过程中,研究生助教本人得到了一定的化学教学实践锻炼,综合能力得到提高;指导教师通过助教获得了较为充裕的时间开展相关教研活动,也扩大了与本科生的交流信息量。对于"无机及分析化学实验"课程而言,研究生助教模式是个很好的教学模式。 相似文献
92.
以1座双索面开口断面大跨径斜拉桥为例,探讨了采用3种主梁简化模型计算开口断面动力特性的差别。结果表明:对于纵飘、侧弯及竖弯各阶固有动力特性,采用单主梁模型、主梁壳单元模型、三主梁模型计算的结果基本一致,将3种模型的动力特性计算用于抗震分析时,结果相差不大;而采用单主梁模型会低估抗扭刚度,对桥梁结构扭转频率产生较大的误差;三主梁模型和主梁壳单元模型结果相近,桥梁抗风分析时不宜采用单主梁模型。 相似文献
93.
94.
Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒Al GaN(小于6 nm)/GaN异质结实现无需刻蚀Al GaN势垒层的GaN基增强型器件的物理机理和实现方法。同时介绍了在超薄势垒Al GaN/GaN异质结构上实现增强型/耗尽型绝缘栅高电子迁移率晶体管单片集成的研究进展,进一步论证了在大尺寸Si基Al GaN/GaN超薄势垒平台上同片集成射频功率放大器、整流二极管、功率三极管等器件的可行性,为Si基GaN射频器件、功率器件、驱动和控制电路的单片集成奠定了技术基础。 相似文献
95.
96.
97.
织构化滑动摩擦副表面织构的排布方式、尺寸和形状是决定其压力分布和承载力的关键因素。为改善织构化滑动摩擦副表面的润滑与承载特性,提出了一种变织构(尺寸多样的织构)结构。以球冠形织构为研究对象,建立不同排布方式的单一尺寸织构及方形排布变织构的CFD (computational fluid dynamics,计算流体力学)仿真模型,分析了排布方式不同的单一尺寸织构表面的压力分布和承载力;在此基础上,研究了半径两端小中间大(A型)、半径两端大中间小(B型)、深度两端浅中间深(C型)及深度两端深中间浅(D型)等4类方形排布变织构表面的压力分布和承载力。结果表明:方形排布的单一尺寸织构的润滑性能最强且承载力最大,随着错位角的增大,织构间的协同润滑作用减弱,承载力减小;单一尺寸织构的压力分布曲线为周期性波动曲线,由多个单织构的压力分布曲线叠加而成,而方形排布变织构因前后织构的协同润滑作用而导致其压力分布曲线的趋势线近似呈正弦或余弦规律波动;在4类方形排布变织构中,B型变织构的承载力大于A型,D型大于C型,说明两端织构的半径越大、深度越深或该类织构的占比越大,则变织构的承载力越大。由此可见,合适的变织构比单一尺寸织构更有助于提升摩擦副表面的润滑与承载性能。 相似文献
98.
99.
我厂近年来为轻纺工业开发了加工三梳节槽针经编机中针床板的JCO77经编机针床板铣床(图1)。这种机床以前主要依靠进口,由于我们的研制成功,为国家节约了外汇开支。此机床比单刀铣床提高效率10倍,保证了加工件的精度。 加工件针床板上有2300多条针槽(图2)。其技术要求如下: 1.任意两针槽之槽距0.9071mm(28槽/25.4 mm),允差±0.01 mm(在每254 mm长度“接刀”处槽距0.9071mm,允差±0.02。nm)。 2.任意28个针槽槽距25.4 mm,允差±0.02 mm(在上述“接刀”处的针槽槽距25. 4 mm,允差±0. 03 mm)。 3.针槽槽距在全长上的累积允差为0.15nm。 为了… 相似文献
100.
氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD(Schottky barrier diode)目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度,介绍了各种优化SBD性能的方法。最后,对器件的未来发展进行了展望。 相似文献