高跨导AlGaN/GaN HEMT器件

报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaNHEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1 0 μm ,源漏间距为4 0 μm .器件的最大电流密度达到1 0 0 0mA/mm ,最大跨导高达1 98mS/mm ,转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点.同时由所测得的S参数推出栅长为1 0 μm器件的截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为1 8 7GHz和1 9 1GHz.     

采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件

对AlGaN/GaN HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在-3V左右时,源漏间电流为几十nA.肖特基势垒的反向漏电流在-10V下约为几百nA.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电.研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于700℃.     

料仓预上料数学规律研究及应用

文章介绍了一种通过雷达物位计测量料仓内物料高度来估算此刻最多可补充料量的方法.该方法已应用在鞍钢集团炼钢厂皮带无人化项目中.高位料仓承担着为转炉炼钢补充原料的任务,要保证供应充足,能耗低,并最终实现无人值守式上料.其中,料仓补充料量估计成为核心问题,文章详细介绍了曲线拟合法、体积公式法两种估算方法,并通过对比实验证明曲...     

基于RANSAC的激光三角法中厚板板形测量技术研究

中厚板生产流程中,为了在切割时有效避开表面不平整区域,提出一种基于RANSAC(随机抽样一致性)算法的激光三角法中厚板板形测量技术,测量板形的外轮廓长宽尺寸及表面平整度。采用基于RANSAC算法的曲线拟合方法提取激光光斑中心线,并对比了质心法、最小二乘法、RANSAC算法这三种方法的抗噪声能力。实验结果表明,基于RANSAC算法的测量方法是一种较好的板形检测方法,具有较好的应用前景。     

用于GaN HEMT肖特基参数提取的修正方法

对GaN高电子迁移率器件进行48小时350℃的高温存储实验后,观察到肖特基正向特性的低压段出现凹进现象。我们认为这是二维电子气浓度下降造成的。此时传统的肖特基提取方法不适合,在运用背对背肖特基模型分析其能带变化的基础上提出一种肖特基参数提取的修正方法,并获得很好的拟合效果。     

退火处理降低AlGaN/GaN台面隔离电流

针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)及电学测量仪器对样品进行表征和测试。测试结果表明,在氧气和氮气氛围退火处理均能降低样品的隔离电流,且经退火处理后样品的隔离电流均处于10^-9 A/mm数量级,但在氧气氛围中退火处理会使样品的欧姆接触电阻增大。在氮气氛围下的最佳退火处理条件为400℃、120 s。在该条件下样品经过退火处理后,在200 V直流偏压下测得样品的台面隔离电流仅为4.03×10^-9 A/mm,与未经退火处理的样品相比降低了4个数量级,而且在高温测试中样品的隔离电流仍然能够保持较低的数值。     

基于关键字之间结构关系的XML查询结果排序方法

非空结果的XML关键字查询中,多个查询关键字之间必然存在联系,这种联系可以通过SLCA(最紧致片段)的结构关系获得.基于SLCA的结构关系,提出了一种推测多个关键字内在联系的XML关键字查询结果排序方法:通过LISA Ⅱ 算法获得SLCA;根据SLCA的结构信息推测出各个关键字之间的内在结构关系,得到所有关键字组成的关系树;然后根据关系树中各关键字对查询结点的严格程度得到对应SLCA的重要程度,据此得到有序的SLCA并输出.该方法利用了XML文档的结构信息对查询结果进行排序.实验结果和分析表明,提出的方法具有较高的准确率,能够较好地满足当前用户的需求和偏好.     

农产品中农药残留的检测技术应用及分析

本文主要对农产品中农药残留检测技术的应用进行分析,包括色谱法、色谱-质谱联用技术、毛细管电泳法、免疫分析技术、生物传感器技术、活体生物检测技术以及酶抑制法等。     

具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制

研究了AlGaN/GaN HEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程. 通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻，实现了1E-7Ω·cm2的欧姆接触率，并在此基础上对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触形成机理进行了深入讨论. 通过器件工艺的优化，研制了高性能的AlGaN/GaN HEMT器件. 栅宽40μm的器件跨导达到250mS/mm, fT达到70GHz; 栅宽0.8mm的功率器件电流密度达到1.07A/mm(Vg=0.5V),Vds=30V时，8GHz工作频率下（在片测试）器件的输出功率为32.5dBm(1.6W)，输出功率密度达到2.14W/mm，功率增益为12.7dB.     

Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制

为了提高AlGaN/GaN HEMT的频率,采用了缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了器件结构,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备.测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT可以满足Ka波段应用.其中2×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V漏压下的截止频率为32GHz,最大振荡频率为1...