关于高校科研项目吸纳大学毕业生就业的服务协议性质探究

高校科研项目吸纳大学毕业生就业是金融危机下就业促进工程的一项重要举措。相关政策要求承担国家和地方重大科研项目的单位通过服务协议的方式聘用大学毕业生。但对服务协议的法律性质未予以界定,因此导致在实际操作中的混乱。本文从解释学的释义出发,用法经济学和法社会学的方法对服务协议的性质做理论上的探讨。     

带有原位生长SiNx绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件(英文)

本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiNx栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_x栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍塌。所研制的MIS HEMTs在V_GS=2 V时最大饱和输出电流为2.2 A/mm,峰值跨导为509 m S/mm,在V_GS=-30 V时肖特基栅漏电流为4.7×10^-6 A/mm。采用0.15μm T形栅技术,获得98 GHz的f_T和165 GHz的f_MAX。大信号测量表明,在连续波模式下,漏极电压V_DS=8 V时,MIS HEMT在40 GHz下输出功率密度2.3 W/mm,45.2%的功率附加效率(PAE),而当V_DS增加到15 V时,功率密度提升到5.2 W/mm,PAE为42.2%。     

QuEChERS前处理结合气相色谱电子捕获检测器检测果蔬中30种农药残留

目的 应用QuEchERS前处理法处理样品,建立了气相色谱-电子捕获检测器检测多种水果蔬菜中30种常见农药残留的分析方法。方法 用乙腈作为溶剂,分别采用无缓冲盐体系、醋酸缓冲盐体系和柠檬酸盐缓冲体系提取对蔬果中30种农药进行提取,用PSA进行净化后上机处理。结果 采用不加缓冲盐体系提取,经PSA净化的方法适用于本文所选30种农药的检测,将该方法用于黄瓜、西红柿、生菜、苔菜、包菜、胡萝卜、梨、草梅,苹果等蔬果中30种农残的检测,结果表明30种农药残留的回收率在75%-122%之间,相对标准偏差在1%-12%之间;结论 该方法准确、简单、快速、灵敏度高,可以满足日常农残快速筛选的检测要求。     

前坪水库大坝应力变形及抗水力劈裂研究

心墙土料与坝壳砂卵砾石料、堆石料模量差别较大,为研究大坝心墙拱效应对心墙的应力变形及抗水力劈裂的影响,根据大坝材料分区及坝基地质情况,考虑施工填筑及蓄水过程分级加载,采用非线性邓肯-张模型对大坝应力变形进行研究分析,对前坪水库心墙的应力变形、抗水力劈裂进行分析。计算结果表明,坝体应力和变形分布符合一般规律,坝体最大竖向沉降发生在1/2～2/3坝高范围内,考虑心墙拱效应后,心墙抗水力劈裂是安全的。同时,结合已建工程经验,在大坝易出现裂缝部位可采取填筑高塑性土等工程措施,防止因裂缝而引发集中渗流破坏,避免心墙与基岩面产生裂缝。     

适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术

采用ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚SiO2陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了"微掩膜现象"问题,刻蚀获得12.4μm的陡直SiO2光波导剖面,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中.     

具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制

研究了AlGaN/GaN HEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程.通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了10-7Ω·cm2的欧姆接触率,并在此基础上对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触形成机理进行了深入讨论.通过器件工艺的优化,研制了高性能的AlGaN/GaN HEMT器件.栅宽40μm的器件跨导达到250mS/mm,fT达到70GHz;栅宽0.8mm的功率器件电流密度达到1.07A/mm(Vg=0.5V),Vds=30V时,8GHz工作频率下(在片测试)器件的输出功率为32.5dBm(1.6W),输出功率密度达到2.14W/mm,功率增益为12.7dB.     

智能家庭系统中的烹饪助手服务

面向智能家庭环境中的厨卫应用,基于情境感知计算框架研发了智能烹饪助手服务（Smart Cooking Assistant Service,SCAS）,在烹饪过程中向用户提供信息提示服务。SCAS建立并维护关于中餐家常菜系的烹饪知识本体模型;在运行过程中综合运用语义网搜索、自然语言解析等技术,识别菜单中的菜品名称,并通过互联网自主搜索烹饪配料表,完善烹饪知识模型;最后通过具有功能直观性的调料盒人机界面显示提示信息,降低了人机交互开销,提高普适计算服务的隐藏性。     

燕山水库大坝坝基防渗处理设计

1坝址区工程地质燕山水库主坝全长4070m,根据坝轴线地质纵断面图,按地形地质条件可分为左岸台地坝段、河槽及残留一级阶地段和右岸坝肩段。坝基的主要工程地质问题是坝基渗漏及渗透稳定问题。左岸台地坝段桩号0 650～4 275,长3625m,基岩为第三系粘土质砂岩和粘土质砂砾岩,粘土质砂砾岩属弱～中等透水,粘土质砂岩绝大部分属极微透水～弱透水,二级阶地段(?)地层     

高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制

在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该lmm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.     

应用于宽带的AlGaN/GaN MIS-HEMT高效率器件（英文）

本文采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)生长的SiN_x栅介质制备了宽带应用的AlGaN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),并在直流、小信号及大信号测试中评估了该介质层对器件性能的提升。测试结果表明改进器件具有高质量界面、宽栅极控制范围、良好的电流崩塌控制等优势,并确认了其在超过5 GHz下工作时仍能保持较高的功率附加效率(PAE)。在5 GHz连续波模式下,漏极电压V_DS=10 V时,MIS HEMT输出功率密度为1.4 W/mm,PAE可达到74.7%;V_DS增加到30 V时,功率密度提升到5.9 W/mm,PAE可保持在63.2%的水平;测试频率增加30 GHz,在相同的输出功率水平下,器件的PAE达到50.4%。同时,高质量栅极介电层还可允许器件承受高的栅极电压摆动：在功率增益压缩6 dB时,栅极电流保持在10^-4 A/mm。上述结果证实了该SiN_x栅介质对器件性能的提升,使其满足宽带应用的高效率、高功率和可靠性要求,为系统和电路的宽带设...