氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响

研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响.实验结果表明,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布,即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ) ,体内靠近DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀,而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀.分析认为,由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面外扩散,同时在硅片体内促进氧沉淀,改变了间隙氧的分布,从而导致在随后的热处理过程中氧沉淀的特殊分布行为     

含发酵乳杆菌HY01牦牛酸奶工艺优化及主体风味成分动态解析

利用具有益生性能的发酵乳杆菌HY01生产牦牛酸奶,首先通过单因素试验、响应面试验优化益生菌发酵条件,观察贮藏期间产品的品质变化,并且利用电子鼻解析不同后熟时间牦牛酸奶的香气成分变化。结果表明：发酵乳杆菌HY01生产牦牛酸奶的优化工艺条件为接种量4%、40 ℃发酵6 h时感官评分89.72 分,益生菌数8.90×108 CFU/mL。在28 d贮藏期内牦牛酸奶益生菌数高于107 CFU/mL,酸度低于118 °T。贮藏0～14 d时4 项质构指标（黏性、硬度、稠度、黏聚性）、双乙酰和乙醛含量、感官评分基本保持不变,14 d后下降。此外,电子鼻传感器对香气响应值的主成分分析表明,牦牛酸奶特征香气由氮氧化物、甲基类、硫化物和醇类组成,与市售鲜牛乳制备酸奶的香气含量区别显著。可见,含发酵乳杆菌HY01的牦牛酸奶不仅具有良好的性能及风味,而且有望对肠道健康起到有益作用。     

p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

研究了p型含氮以及不含氮直拉(CZ)硅中热施主(TD)以及氮氧(N-O)复合体的电学性质.硅片在350～850℃范围进行不同时间的退火后,利用四探针和通过室温傅里叶红外光谱(FTIR)分别测量其载流子浓度和间隙氧浓度的变化.实验结果表明:p型含氮直拉硅(NCZ)中热施主的电学特性基本与n型NCZ硅相同,但N-O复合体的消除温度明显低于n型NCZ硅,这是由于p型NCZ硅中硼促进了N-O复合体的消除.     

热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响

研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)的分布不同.并对此现象的机理进行了讨论,认为热处理气氛影响了硅片中点缺陷的分布从而影响到BMDs的分布.此研究对集成电路生产中内吸杂工艺的保护气氛的选择有指导意义.     

辽宁省水稻生产机械化发展趋势及对策

辽宁省实现水稻生产机械化,对提高农业劳动生产率、改善农民作业条件、促进农民增收、推进现代农业发展具有现实意义。 辽宁省发展水稻机械化具备政府部门高度重视、惠农政策支持有力、补贴资金拉动强劲、专项资金投入加大和服务体系日臻完善等 有利条件。辽宁省水稻生产机械化发展显现出盘苗插秧机向高速化方向发展,水田耕作机具向复式作业方向发展,抛秧技术将进一 步完善,直播技术发展空间扩大,水稻育苗向工厂化方向发展的喜人趋势。辽宁发展水稻生产机械化应该实施重点突破,注重协调 发展;加大扶持力度,提高装备水平;开展跨区作业,提高服务水平;加大培训力度,提高农民素质等措施。     

旋涡气流场的形成与分析

旋涡气流光整加工是以旋涡气流为载体，带动磨粒紧贴工件内孔表面作高速、强劲的“龙卷风”式的螺旋运动，实现内孔表面的光整加工。这种新工艺的关键技术是如何形成旋涡气流及研究气流速度和压力对加工效果的影响关系。为此，应用流体力学理论分析形成旋涡气流场的条件，研制了模拟实验用的旋涡头，研究气流速度和压力沿径向的分布规律，建立了相关的数学模型，为进一步研究和应用提供了理论依据。     

城市台媒体融合2.0——在BIRTV2017主题报告会上的演讲

非常感谢大会为我们城市台提供这样一个机会,让我们能够在这里跟大家一块儿分享成都台的一些做法和体会.我们是城市台,受规模和覆盖面各方面的局限,一路走来也非常不容易,在这个过程中我们一直坚持在做,有了一些破局和一些体会,想在这儿跟大家做一个分享.     

纳米硅/二氧化硅发光膜的窄发光带

用电化学方法制备了含有纳米硅点的光致发光二氧化硅膜,发现其激发谱分别在２４６ ｎｍ 及５０６ ｎｍ 附近有极大值。当激发波长在５０６ ｎｍ 附近时,观测到一个强度很弱但发射谱线宽度只有约０ ．０５ ｅＶ 的发光带,远小于２５０ ｎｍ 激发时的发射光谱的宽度（ 约０ ．５０ ｅＶ） 。此窄发光带的发光波长及峰型随激发波长的变化而变化,分析表明它起源于硅氧化合物中的纳米硅点,而短波长（２５０ ｎｍ） 光波激发时的宽发射谱主要来自于二氧化硅中的杂质与缺陷     

氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响

研究了氧沉淀对直拉(CZ)硅单晶维氏硬度的影响.研究表明,在发生一定程度氧沉淀的情况下,硅单晶的硬度会由于氧沉淀导致的间隙氧浓度的降低而减小,此时间隙氧原子的固溶强化作用对硅单晶硬度具有显著的影响;而当氧沉淀足够显著时,由于氧沉淀的密度和尺寸较大,氧沉淀在硅单晶中的第二相强化作用得以显现,此时硅单晶的硬度不随间隙氧浓度的降低而减小,反而有较为显著的提高.     

矿用隔爆型磁力起动器止口变形的消除方法

介绍矿用隔爆型磁力起动器壳体加工过程中 ,止口变形情况及解决方法 ,具有解决生产工艺问题的实际技术意义。