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2000年 | 6篇 |
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1998年 | 3篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
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31.
本文讨论了CAD/CAM软件系统中复杂曲面的光滑拼接问题。提出了对曲面光滑接接的磨光法和覆合法。利用这些方法对一些机械零件进行了行造型和控具加工,取得了令人满意的效果。 相似文献
32.
在我们以前的工作[1]中,报道了基于重掺硼硅片(p~+-Si)上掺Er的TiO_2(TiO_2∶Er)薄膜的TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件的电致发光。本文研究了TiO_2∶Er薄膜的氩(Ar)等离子体处理对TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件电致发光的影响。研究发现:Ar等离子体处理使TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件与Er3+离子相关的可见和近红外电致发光都得到了显著的增强,同时也增强了与TiO_2基体中氧空位相关的电致发光。这是由于Ar等离子体处理显著提高了TiO_2∶Er薄膜中的氧空位浓度,不但增强了与氧空位相关的电致发光,而且增强了以氧空位为敏化中心的从TiO_2基体向Er3+离子的能量传递,从而增强了Er3+离子的发光。 相似文献
33.
沙畈水库是1座多功能的中型水利枢纽工程,1997年建成后投入运行,在对其现有的10余年大坝变形观测资料进行整理后,分析了观测资料以及工程运行状况,提出了评价和建议。图3幅,表1个。 相似文献
34.
提出一种谐波诊断技术与卷积神经网络(CNN) 长短期记忆神经网络(LSTM)相结合的模型,采用该模型对电机异常、劣化进行诊断。高次谐波是导致电机设备异常、劣化的关键性因素之一,对其进行归纳、总结、验证并提取故障特征值,形成了专家系统,该系统在电机故障诊断已有大量应用,但存在组网复杂、成本高等缺点。因此,CNN-LSTM网络利用各次谐波进行特征提取分析,进而进行诊断,最后与专家系统对比以验证模型的准确率。其中,谐波技术与CNN-LSTM相结合的模型的相关决定系数R2和均方根误差MSE分别在95%以上和0.5%以内,表明以谐波诊断技术为基础的CNN-LSTM网络用于电机故障诊断系统具有可行性,能够提高诊断效率,节约成本。 相似文献
35.
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 . 相似文献
36.
大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响 总被引:3,自引:2,他引:3
研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮 (N )对原生氧沉淀的影响 .通过高温一步退火 (10 5 0℃ )和低 -高温两步退火 (80 0℃ +10 5 0℃ )发现在掺 N直拉 (NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉 (CZ)硅是大不相同的 ,经过高温一步退火后 ,在氧化诱生层错环 (OSF- ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷 (voids)区 ,而经过低 -高温两步退火后 ,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于 voids区 .由此可得 ,在晶体生长过程中 ,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布 .并在此基础上讨论了在大直径 NCZ硅中掺 N影响原生氧沉淀的机理 . 相似文献
37.
胶原纤维与植物纤维复合抄片的物理性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对植物纤维与胶原纤维的复合材料作了研究。利用机械法将不舍铬皮革固体废弃物处理后与不同的植物纤维复合并研究其物理性能。结果表明,不舍铬皮革固体废弃物经机械法处理后可以制成复合抄片用的胶原纤维浆;胶原纤维与植物纤维复合抄片后,可以提高抄片的物理性能。 相似文献
38.
马向阳 《中国石油和化工标准与质量》2023,(8):68-70
本文简要分析化工安全管理中存在的问题,进而阐述应对化工安全管理产生问题的策略。通过关于具体管理方面的研究,希望可以为化工企业的发展提供建设性的意见,并且针对具体的管理问题提出对应的解决方法,促进化工企业安全稳定的长期发展。 相似文献
39.
本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间.此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨. 相似文献
40.
本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD). 相似文献