热退火对 InGaN薄膜性质的影响

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

福建电网谐波治理的研究

通过对福建省各地区电网的谐波的实际调查研究,对福建电网谐波状况进行了初步的研究,并对谐波源和谐波水平进行了一定的分析,最后根据实际情况对福建电网谐波治理提出了一些建议。     

一种阵列信号超分辨率快速算法

提出了一种阵列信号超分辨率快速算法，并分析了它的收敛速度。这种算法基于协方差矩阵的特征值平移和矩阵的幂迭代，而不需要矩阵求逆。它的收敛速度快，一般只需几次迭代就能收敛，且算法结构简单，易于实现。     

煤泥浮选的模糊控制

１概述煤泥浮选是一个复杂的物理化学过程，在选煤生产中占有重要地位。浮选过程主要是从直径０．５ｍｍ以下煤泥中分选精煤的过程。它的主要过程是在煤泥中加入适量的捕收剂和起泡剂，进行充分搅拌，产生足够量的药剂气泡，并使精煤粘结在气泡表面，通过浮选机的刮泡机构...     

计算机在建筑设计上的应用

介绍了计算机图形在建筑设计上的应用，并进一步论述了用计算机制作建筑渲染图的方法和步骤     

硬盘使用注意事项

电脑硬盘的基本结构和工作原理比较复杂，一般的计算机管理人员和用户不必彻底掌握，但对计算机管理人员，需要大致了解其构成原理，以便做好日常使用的维护工作。基于结构原理基础上的使用维护，主要是保护磁道，强调环境卫生、防震动和防静电等。     

GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜，利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜，得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL). 通过比较未采用缓冲层，同时采用低温和高温GaN缓冲层，以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程，发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜，同时表征了材料的电学性质和光学性质. 通过对InN薄膜生长模式的讨论，解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异.     

风机变频改造节能技术在火电厂的应用研究

在机组不同负荷下，通过风机工频和变频运行方式特性试验，定量地说明了风机变频改造的节能效果。河南3家电厂风机变频改造后运行实践表明风机变频调节方式运行，性能稳定可靠，能满足机组各种负荷需要；对风机变频器运行测试结果显示风机变频改造后运行中产生的谐波量较少，未对电厂一、二次系统产生明显影响，符合有关国际要求。     

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.