三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化

本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域，ＭＢＥ选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构，其尖角沿［２３３］方向，收缩面由对称的｛１１１｝Ａ面构成．低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明：这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域，分别对应于三个不同的激发光波长．说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化．低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰     

室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器

研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59μm,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现了室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2.     

High-responsivity 40 Gbit/s InGaAs/InP PIN photodetectors integrated on siliconon-insulator waveguide circuitss

This paper presents a high-responsivity and high-speed InGaAs/InP PIN photodetector integrated onto the silicon waveguide substrate utilizing the divinyltetramethyldisiloxane-benzocyclobutene (DVS-BCB) adhesive bonding method. A grating coupler is adopted to couple light from the fiber to the silicon waveguide. Light in the silicon photonic waveguide is evanescently coupled into the photodetector. The integrated photodetector structure is first simulated using the FDTD (finite difference time domain) solutions software and the simulation results show a detection efficiency of 95%. According to the simulation result, the integrated photodetector is fabricated. The measured responsivity of the fabricated integrated photodetector with a detection length of 30 μm is 0.89 A/W excluding the coupling loss between the fiber and the grating coupler and the silicon propagation loss at the wavelength of 1550 nm with a reverse bias voltage of 3 V. Measured 3-dB bandwidth is 27 GHz using the Lightwave Component Analyzer (LCA). The eye diagram signal test results indicate that the photodetector can operate at a high speed of 40 Gbit/s. The integrated photodetector is of great significance in the silicon-based optoelectronic integrated chip which can be applied to the optical communication and the super node data transmission chip of the high-performance computer.     

应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件光学性质研究

采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W.     

利用啁啾光纤光栅实现10Gb/s WDM系统色散补偿

利用二次曝光法制作的啁啾光纤光栅在国内首次邮１０Ｇｂ／ｓｅ ＷＤＭ系统单路色散补偿,经１８０ｋｍ传输后色散补偿的功率代价为１ｄＢ。     

大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统

针对 8 0 8nm大功率 Ga As/ Ga Al As半导体量子阱激光器的远场光场分布特点 ,提出了与多模光纤耦合时对耦合光学系统的特殊要求 ,并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的耦合光学系统 ,对耦合光学系统的实际性能进行了测试 ,给出了耦合效率统计分布图、耦合偏差曲线和高低温可靠性实验结果 .用设计制作出的实用化耦合光学系统完成了输出功率 15— 30 W,光纤束数值孔径为 0 .11— 0 .2 2的半导体激光光纤耦合模块 ,模块的使用结果表明耦合光学系统稳定、高效、实用     

氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析

含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流，但氧化孔的存在也会加大串联电阻．本文采用理论模型，详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻．把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻，分析了串联电阻与氧化孔半径的关系，提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法．     

应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究

采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性，条宽为100μm、腔长为1.6mm，腔面未经镀膜的量子点激光二极管，室温下最大光功率输出为2．74W。