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针对MEMS(micro-electro-mechanical svstem)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点.测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础. 相似文献
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成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III~V族半导体材料。综述了近期III~V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。 相似文献
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文革秘闻———鲜为人知的外交部档案缩微化996年“文化大革命”开始后,不少人违反保密规定私自摘抄外交档案,甚至发展到复印档案,复印后又转抄的严重地步。有些人居心叵测,把党和国家的外交机密任意传播扩散,后果极其严重,党和国家的外交档案有全面失控的危险。... 相似文献
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本文首次报道了在腐蚀图形的(311)A衬底上,一种新型三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化研究.原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域,MBE选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构,其尖角沿[233]方向,收缩面由对称的{111}A面构成.低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明:这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域,分别对应于三个不同的激发光波长.说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化.低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰 相似文献
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研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59μm,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现了室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2. 相似文献
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