大功率半导体激光器二维阵列模块特性分析

根据固体激光器抽运的技术要求,设计了一种具有水冷装置的大功率半导体激光器二维阵列模块,并对半导体激光器热沉和致冷系统的热流进行了分析。在不同占空比下,对该模块进行了测试与分析。该模块的中心波长为810 nm,光谱半峰全宽(FWHM)为2.5 nm,工作电流为110 A(200μs,10%占空比),循环水温为15℃时输出峰值功率为280 W。结果表明,该封装结构在占空比小于5%时器件工作特性良好,在10%占空比下也可正常工作。利用该模块可以组合成多种几何结构、功率更高的半导体激光器组件。     

啁啾光纤光栅引起的系统色散功率代价

分析了啁啾光纤光栅对光脉冲信号的作用 ,计算光脉冲经过一定距离传输并由啁啾光纤光栅进行色散补偿后的脉冲展宽情况 ,同时分析啁啾光纤光栅群时延抖动对系统色散代价的影响。在系统色散功率代价一般要小于1dB的条件限制下给出啁啾光纤光栅群时延抖动的幅度、周期与系统单信道速率这三个参量之间存在相互关系     

硅橡胶绝缘材料耐热性试验研究(摘要)

硅橡胶具有良好的热稳定性,甲基硅橡胶可以在—50℃～200℃温度范围内长期使用,二苯基硅橡胶可以在—100℃～250℃温度范围内长期使用。但是,国外有关资料介绍,各种电绝缘用衬垫耐热性甲基、乙烯基、苯基等硅橡胶制品,允许连续使用温度,在湿热场合下为140～150℃;干热场合为170～180℃。另外,当硅橡胶在密封体系中受热之后,变软、变粘,最终失去使用价值。作者对此进行了试验研究,亦发现此种现象,本文介绍了整个试验过程。     

2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器

报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。     

GaAs液相外延薄层厚度的控制

一、引言液相外延薄层厚度的控制是GaAsGa_xAl_(1-x)As双异质激光器制备中的一个基本问题,是提高器件寿命的重要措施,也是发展新型器件和集成光学的基础。过去所采用的“配源”的液相生长方法,存在外延薄层     

直流盘式电机电枢成型新工艺

直流盘式电机是一种扁平型的电机(俗称大饼电机),具有体积小、重量轻、噪音低、安装方便的特点,是电动自行车理想的驱动电机。在国外用盘式电机驱动的自行车比较流行。国内生产盘式电机只有二、三年历史,目前生产数量很少,年产量仅几万台,而预测需要量在数拾万台以上,供需差距甚大,市场供不应求。盘式电机生产量不大的主要原因,是电机电枢的成型工艺不合理。目前,在我国绝大多数生产盘式电机的工厂,在制造电机电枢时,采用环氧灌注成型工艺,一模一次出一只产品,加热温度在100℃～160℃左右,成型干燥时间为8～10小时。     

基于双面反射镜的N×N光开关的特性分析和实验研究

报道了基于双面反射镜的N×N光开关器件。介绍了使用双面反射镜的2×2,4×4光开关的集成光路设计和工作原理;采用Benes网络,以2×2和4×4光开关为基本单元的N×N光开关器件的整体结构,并根据“一笔画”原理,分析了4×4,8×8和16×16光开关矩阵的可重排无阻塞特性和光开关矩阵的光路选择算法。最后,基于2×2,4×4光开关技术制备了16×16光开关矩阵。测试表明,该器件具有良好的插入损耗、回波损耗、串扰和开关时间等性能,从而验证了设计思想和工艺的可行性。在基于双面反射镜的光开关矩阵中,双面反射镜的使用大大减少了光开关矩阵中运动镜片的数量,简化了控制程序,并有利于提升光开关器件的可靠性能,有望在中小型光交换机、网络管理和光路测量中获得应用。     

连续波工作大功率半导体激光器阵列的温度分布

用Ansys 软件模拟了大功率半导体激光器阵列的稳态温度分布,并对自行研制的半导体激光器阵列的温度变化进行了测试,结果表明理论计算与实验结果基本吻合.该模拟结果对大功率半导体激光器阵列的封装设计具有现实的指导意义.     

GSGSMBE生长 1.84μm波长 InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器

报道了 GSMBE方法生长波长 1.84μm的 In Ga As/ In Ga As P/ In P应变量子阱激光器 . 40 μm条宽、 80 0 μm腔长的平面电极条形结构器件 ,室温下以脉冲方式激射 ,2 0℃下阈值电流密度为 3.8k A/ cm2 ,外微分量子效率为9.3%     

光纤Bragg光栅的特性及应用研究

介绍了光纤光栅研制及其应用研究的情况。研究包括：光纤光栅的基本特性,光纤光栅外腔半导体单频和锁模激光器、光纤光栅稳频光纤环形激光器和主动锁模光纤激光器、基于光纤光栅的波长转换器和基于啾啁光纤光栅的可调谐激光器等。