InP/InGaAsP 1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析

本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用最好。     

InP／InGaAsP1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析

本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用最好。     

电极、互联线寄生电容数值分析新模型

本文以矩量法和矩形面元上的自由空间格林函数为基础,采用多电像法给出一个计算电极,互联线寄生电容的新模型.采用该模型,我们开发了一个微机上运行实现自动矩形面元剖分的寄生电容计算程序,并对一个实际GaAs-MESFET的电极寄生电容进行计算,讨论了钝化层厚度,介电常数对电极寄生电容的影响.     

InP／InGaAsP异质结双极晶体管发射极条长及基区宽度的选择

本文以Ｅｂｅｒｓ－Ｍｏｌｌ模型为基础，对ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析，研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数，讨论了在一定的工作电流下，发射极条长及基区宽度对器件高频小信号调制性能的影响，给出了优化选择发射极条长及基区宽度的近似方法。     

光子射频移相器研究与进展

光子射频移相器是光控相控阵的关键器件,近几年引起了广泛的关注.介绍了基于光实时延迟线、基于外差混频技术和基于矢量和技术的光子射频移相器,对其工作原理和技术特点作了分析.集成光学技术的发展将推动光子射频移相器向集成化、微型化的方向发展.     

低电压缴反射镜型微机械光开关的设计与制作

利用 (1 0 0 )硅片和偏 2 5°的 (1 1 1 )硅片制作了静电驱动扭臂结构微反射镜型 2× 2光开关。微反射镜、自对准V型槽和扭臂结构是在 (1 0 0 )硅片上制作的 ,反射镜与光纤槽之间靠晶向自对准 ,反射镜与光轴垂直度较好。在偏 2 5°的 (1 1 1 )硅片上制作倾斜下电极结构 ,实验测得的 pull in电压为 1 3 2V ,几乎比平面下电极的 pull in电压降低一半。采用准直光纤耦合 ,开关的插入损耗小于 1 4dB ,串话小于 - 5 0dB。     

(110)硅基MEMS光开关光纤定位槽的设计

利用KOH溶液腐蚀在(110)硅片上制作2×2 MEMS光开关,微反射镜表面光滑且垂直度较好,其质量高于用同样方法在(100)硅片上制作的反射镜,但是却存在自对准V型槽难以实现的问题。依据(110)硅片的结晶学特点,设计并制作了夹角为38.94°的两个光纤定位槽:一个为U型槽,两侧面均为{111}面;另一个是呈锯齿状的光纤槽,它是由腐蚀出的平行四边形蚀坑串组成。介绍了锯齿状沟槽的实现原理,对平行四边形蚀坑尺寸进行了分析设计,并采用菱形凸角补偿结构实现凸角补偿。这两种光纤定位槽结构都能够很好地固定光纤,并实现了光纤的自对准,且制作方法简单。     

扭臂结构静电驱动式微驱动器动力学特性分析

基于扭转动力学原理,推导了用于分析静电微驱动器的驱动电压、响应时间和其它动力学参数的特性方程。对于忽略和考虑空气阻尼效应的2种情况,分别进行了详细的讨论,计算结果可以用于分析器件处于真空和空气条件下的工作状态。结果表明,当考虑空气阻尼时,悬臂梁的运动轨迹与忽略空气阻尼时相比较发生相当大的改变,从而吸合（pull—in）电压和响应时间等计算结果也发生改变。因此,对于微机电系统（MEMS）器件的设计和制作,空气阻尼效应是影响其性能和工作条件的重要因素。最后,介绍了一种光学测量方法,可用于器件的响应时间和悬臂梁扭转角度等参数的测试,得到的实验结果与理论分析结果有较好的吻合。     

MOEMS光开关响应时间的分析计算

本文结合静电驱动扭臂式MOEMS光开关,给出了响应时间的计算方法,得出开关时间的计算公式.分析了器件几何参数对开关时间的影响,给出了开关时间随参数的变化趋势.通过优化结构给出一组几何参数,保证了驱动电压在10V左右,开关时间可以达到1至2ms.