集成化平面肖特基变容管微波C-V特性物理模型

提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段 C- V特性物理模型 ,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段 C- V特性的影响 ,揭示了集成化平面肖特基变容管 C- V特性对频率的依赖 ,并对变容比作了讨论。模型与实验结果符合得很好     

一种新颖的多功能低相移DC-50 GHz单片可变衰减器

Ga As MMIC控制电路开关由于其体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高等显著优点在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多功能低相移 DC- 5 0 GHz高性能单片压控可变衰减器 ,获得了优异电性能。据了解 ,这是世界上第一次报道这种具有低相移功能的 DC- 5 0 GHz单片压控可变衰减器 ,国外的类似产品不具备这种低相移功能 ,同时还采用了直流参考电路和 MBE外延材料及相关工艺技术制造 ,不仅电路复杂 ,给工艺成品率、可靠性和成本带来不利 ,同时还会带来功耗(标称最大直流功耗 1 5 2 m…     

一种新颖的多倍频程GaAs单片五位数字移相器

南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多倍频程GaAsMMIC五位数字移相器,初步获得了优异性能。五位数字移相器中每一位均采用了新颖的宽带移相电路拓扑,设计中动用了独到的CAD优化技巧,并借助于南京电子器件研究所Φ76mmMMIC工艺线电路模型参数提取系统获取电路模型参数和采用电路模型参数比例缩放技术。芯片制造采用MMIC标准离子注入圆片工艺制造技术和工艺监控(PCM)技术以保证高的成品率和一致性。芯片采用了多重钝化保护技术以保证在微波多芯片模块(MMCM)组装使用中的高可靠性。芯片尺寸为:4.2mm×2.98mm×0.1mm,输入/输出端…     

2000年国际GaAs制造技术会议简介

20 0 0年国际 Ga As制造技术会议 ( Ga As MANTECH)于 5月 1日至 4日在美国首都华盛顿召开 ,来自世界各地的约 30 0位代表参加了本届年会。代表人数较 1 999年增加了 5 0 % ,这反映了化合物半导体正越来越引起人们的关注。近些年来 ,由于通信技术的革命和信息高速公路的出现 ,化合物半导体呈现出日新月异的发展。在人类进入新千年之际 ,化合物半导体制造技术也将以新的姿态进入到新世纪。 4条新的 1 5 0 mm圆片生产线正在建设 ,异质结器件及其单片电路正进入批量生产。一些制造厂 ,投片量已达到每周 1 0 0 0片 ,预计今年化合物半导体…     

10Gb/s GaAs PHEMT光接收机前置放大器

简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所0．5μm标准GaAs PHEMT工艺实现的10 Gb/s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿技术,由七个共源共栅级联的单元组成,测试结果表明,该分布式前置放大器可以工作在10 Gb/s速率上。     

基于50nm AlN/GaN异质结的G波段放大器

报道了基于50 nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50 nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1 A/mm,最大跨导为700 mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率和最大振荡频率分别为180 GHz及350 GHz。采用该工艺制备的共面波导(CPW)结构的放大器工作电压6 V,在162 GHz小信号增益大于10 dB。166 GHz连续波峰值输出功率11.36 dBm,功率密度达到684 mW/mm,功率密度水平达到GaN器件在G频段的高水平。     

基于大信号模型的L波段400W高效GaN功率放大器设计

文章阐述了用精确的GaN Angelov模型设计了一款L波段400W内匹配率放大器.选用SiC衬底的GaN器件是为了获得大功率输出以及高效率性能.为了精确设计放大器,采用脉冲I-V测试和多偏置的S参数测试建立起高压GaN大信号模型.采用模型设计的GaN放大器输入输出电路集成在17.4mm×24mm的封装管壳里.最终采用单枚55mm栅宽GaN管芯设计的放大器在48V漏压,100μs脉宽,10%占空比偏置下在1.2~1.4GHz输出功率大于400W,功率增益大于15dB,最高功率附加效率达到81.3%,这是国内L波段400W微波功率放大器的最高效率报道,验证了模型的准确度,实现了极好的电路性能.     

泡显影液法T-TOP剥离工艺研究

介绍的泡显影液法T-TOP剥离工艺,是一种简单的金属剥离方式,它在普通光刻工艺流程中加入浸泡显影液环节,通过调节烘烤温度,制作出利于剥离的T型胶剖面,并配合正确的剥离操作,最终实现完好的金属互联。该方法相对来说,工艺简单、易于操作、经济实用。     

10Gb/s OEIC光接收机前端及3.125Gb/s限幅放大器

摘要：基于南京电子器件研究所Φ76mm GaAs pHEMT工艺,研制了10Gb/s OEIC光接收机前端,并首次采用耗尽型PHEMT设计并实现了限幅放大器。借助模拟软件ATLAS建立并优化了器件模型,组成形式为MSM光探测器和电流模跨阻放大器,探测器带宽超过10GHz,电容约3fF/μm,光敏面积50×50μm2,整个芯片面积1511μm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积1950μm×1910μm,在3.125Gb/s传输速率下,分别输入10mVpp和500mVpp,可以得到500mVpp恒定输出摆幅。     

磁控溅射AlN介质的14W/mm AlGaN/GaN MIS-HEMT

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了凹槽栅和场板结构.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在2 GHz、75 V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN/GaNMIS-HEMT输出功率密度达到了14.4 W/mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20.51 dB和54.2%.