弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜的应力阻抗效应

用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在1~40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明:多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加,在自由端变形1mm、电流频率5MHz时,应力阻抗效应达–17.3%,在新型力敏传感器方面具有广阔的应用前景。