Pentacene掺杂C60层迁移率对 有机太阳电池性能的影响

采用高真空蒸发的方法,在Indium—tin—oxide（ITO）玻璃上制造了Pentacene掺杂的Copper（Ⅱ）phthalocyanine（CuPc）／fullerene（C60）有机太阳电池。迁移率测量结果表明,掺杂Pentacene在C60层有效改变了太阳电池受主层的栽流子迁移率。在AM1-5太阳光照下测量器件的电流一电压特性,结果显示,太阳电池的能量转换效率与载流子迁移率密切相关。     

突出能力本位,构建高职电子专业培养体系

从职业素质、岗位技能、创新能力等方面,对高职院校应用电子专业职业能力培养中基于"职业活动导向"的课程教学体系和教学质量监控体系进行了探讨。实践表明,这种体系形成了鲜明的高职特色,对学生职业能力的培养起到非常重要的作用。     

GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型

在器件物理的基础上,提出了一种半经验的GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型考虑了位错、界面态、光学声子、离化杂质、表面粗糙、声学声子,以及高场对迁移率的影响.模拟结果表明,界面态和位错是影响沟道迁移率的主要因素,尤其是界面态,它决定了迁移率的最大值,而位错密度的增加使迁移率减小.此外,表面粗糙散射和高场散射主要影响高场下载流子迁移率.由此可见,GaN n-MOSFET沟道迁移率的提高依赖于晶体质量和界面质量的提高.     

动态、多手段、全过程滑坡预警预报研究

总结了传统滑坡预警预报方法的发展历史和特点,提出了一种动态、多手段、全过程的滑坡预警预报研究新思路,在动态评估滑坡稳定性评价因子、及时修正计算条件和强度参数指标的前提下,综合采用宏观评判、监测评判和计算评判的方法,建立了滑坡预警预报全程评价体系,提出了滑坡预报具体实施方法。并结合某工程滑坡实例,验证了该方法的可行性。     

高k栅介质MOSFETs的二维阈值电压模型

给出包括栅电介质与耗尽层区域的边界条件和二维沟道电势分布.根据这个电势分布,得出高k栅介质MOSFET的阈值电压模型,模型中考虑短沟道效应和高k栅介质的边缘场效应.模型模拟结果和实验结果能够很好地符合.通过和一个准二维模型的结果相比较,表明该模型更准确.另外,还详细讨论了影响高k栅电介质MOSFET阈值电压的一些因素.     

钢筋混凝土梁加固前后的应力应变分析及抗弯承载力计算

通过对加固钢筋混凝土梁的二阶段受力特点的分析,按平截面假定推导出钢筋混凝土梁在加固前后的应变、应力计算公式;得出加固梁破坏时的受压区高度不同于原梁的结论;并导出梁是否可加固的判别条件;根据加固梁截面应变分布特点,提出对加固材料性能和加固前梁上荷载的定性要求.     

一种无线温度传感器的设计与实现

利用数字温度传感器DS18B20、单片机、射频模块,设计了一款新颖的无线温度传感器。该无线温度传感器的温度测量范围为-55~125℃,温度测量精度在0.5℃以内,无线传输距离为80~100 m。在测量范围内,该无线温度传感器的精度较高,且功耗较低,性价比较高,适用于温室大棚、粮仓等温度测量系统,具有较好的应用及发展前景。     

基于可信级度量的智能终端安全模型研究

为解决开放环境下智能终端无法提供有效保护用户隐私及通信实体之间的信任问题,提出一种基于可信级度量的stTLM智能终端安全模型。该模型基于一种轻量级可信级度量机制,通过对任务安全分级及集成奖惩机制,可提供细粒度的安全访问授权性能。模型评估结果表明,stTLM模型具有优异的环境适应性及动态性能。模型容易实施,可有效增强开放环境下智能终端的安全性。     

滑坡动力系统的混沌效应分析

介绍了滑坡监测位移时间序列相空间重构技术,并研究了适合于计算滑坡位移时间序列Lyapunov指数的算法.通过清江库岸茅坪滑坡的实测位移数据,计算出该滑坡系统的混沌特征量Lyapunov指数λ1＞0,因此表明该滑坡动力系统具有混沌效应.     

智能定硫仪的设计

从系统的构成，硬件软件等方面介绍了一种硫含量的检测系统。该系统能快速精确地测量煤和钢铁中的硫含量，为煤和钢铁的鉴定和合理使用提供科学依据。