辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号

针对空间和核工业应用中辐射引起CMOS图像传感器产生暗电流随机电报信号（DC RTS）问题,对0.18 μm CMOS图像传感器进行不同能量质子、γ射线的辐照试验,辐照后对DC RTS特征参数进行分析。试验结果表明：由于位移损伤和电离总剂量效应产生的RTS缺陷不同,两种DC RTS在台阶、最大跳变幅度、平均时间等参数存在差异。相比于位移损伤产生的DC RTS,电离总剂量产生的DC RTS具有跳变幅度小、平均时间长的波动特点,导致此类DC RTS难以检测分析。像素积分期间传输栅电压会对电离总剂量诱发的DC RTS产生影响。上述工作为深入认识CMOS图像传感器DC RTS现象、探索相关抑制技术提供重要参考。     

不同沟道长度MOSFET的热载流子效应

对同一工艺制作的几种不同沟道长度的 MOSFET进行了沟道热载流子注入实验。研究了短沟 MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系。实验结果表明 ,沟道热载流子注入使 MOSFET的器件特性发生退变 ,退变的程度与器件的沟道长度之间有非常密切的关系。沟道长度越短器件的热载流子效应越明显 ,沟道长度较长的器件的热载流子效应很小。利用热载流子效应产生的机理分析和解释了这一现象     

线性源啁啾对孤子脉冲压缩的影响

通过线性源啁啾对孤子脉冲压缩影响的研究,发现泵浦脉冲和孤子脉冲的源啁啾参量地脉冲压缩产生重要影响,且孤子脉冲压缩存在最佳光纤长度。在泵浦功率一定的条件下,选取负啁啾的泵浦脉冲正啁啾的孤子脉冲可以获得高压缩因子的光脉冲;同时选取负啁啾的泵浦脉冲和正啁啾的孤子脉冲易于产生更短的压缩光脉冲。     

CMOS运算放大器的辐照和退火行为

介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关.     

色散缓变光纤中的孤子效应拉曼脉冲产生

在推导描述色散缓变单模光纤负群速色散区超快受激拉曼散射过程数学模型的基础上，通过计算机模拟，对这一孤子效应拉曼脉冲产生过程进行了详细的计算和分析。发现与常规光纤中相比，在泵浦条件相同的情况下，从色散缓变光纤中获得的拉曼脉冲具有较窄的宽度和较高的峰值功率。这意味着色散缓变光纤具有比常规光纤较低的拉曼阈值。进一步研究表明，对于给定的泵浦条件，光纤色故的缓变程度存在一最佳值。     

背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究

为研究辐照过程中施加背栅偏置对不同沟道长度部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Partily Depleted Silicon-On-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors,PD SOI MOSFETs）电参数影响规律,及对隐埋氧化层（Buried Oxide,BOX）辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。基于晶体管转移特性曲线,通过提取辐射诱导晶体管阈值电压变化量,对比了不同沟道长度PD SOI在不同背栅偏置条件下的辐射损伤数据,试验结果显示：辐照过程中施加背栅偏置可以显著增强长沟晶体管的损伤。通过提取辐射在BOX层中引入陷阱电荷密度,结合TCAD(Technology Computer Aided Design)器件模拟仿真进行了机理研究,研究结果表明：短沟道晶体管在施加背栅偏置时会受到源漏电压的影响,从而使BOX层中电场分布及强度不同于长沟道晶体管,而长沟道晶体管受源漏电压的影响可以忽略。     

电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响

介绍了确定 CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明 ,恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响 ,但在一定范围内并不是造成辐射感生运放电参数衰变的最主要原因     

线性稳压器不同偏置下的低剂量率损伤增强效应

A linear voltage regulator was irradiated by ~(60)Coγat high and low dose rates with two bias conditions to investigate the dose rate effect.The devices exhibit enhanced low dose rate sensitivity(ELDRS) under both biases. Comparing the enhancement factors between zero and working biases,it was found that the ELDRS is more severe under zero bias conditions.This confirms that the ELDRS is related to the low electric field in a bipolar structure. The reasons for the change in the line regulation and the max...     

双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究

文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验。结果表明，室温辐照条件下，该双极器件在较高剂量率下的辐射损伤没有显著区别，但在低剂量率辐照下，辐射损伤明显增加；而在高温辐照条件下，即使辐照剂量率较高，其辐射损伤也有显著的差异。最后，讨论了这种效应可能的内在机制。     

运用FANUNC 0-M系统宏程序功能编制螺旋形腔铣削宏程序

全功能数控系统具有户宏程序。宏程序是一种可由用户自行开发并可任意调用的包括变量运算、条件转移等指令的子程序。使用用户宏程序编程进行数控加工 ,可有以下优点 :1大大缩短程序长度及所占数控系统的内存量。 2一个用户宏程序适用于一系列同类型零件的加工 ,把相似零件的编程工作简化到最低限度。 3减少了编程差错 ,提高了工作效率及可靠性。我厂 MV 4 0加工中心采用 FANUC0 M系统 ,具有宏程序功能。我们生产加工当中形腔铣削非常多 ,如果完全通过计算编制每一刀坐标点 ,计算麻烦且容易出错。通过运用FANUC0 M系统宏程序功能编制…