Autostereoscopic 3D flat panel display using an LCD-pixel-associated parallax barrier

This letter reports an autostereoscopic three-dimensional （3D） fiat panel display system employing a newly designed LCD-pixel-associated parallax barrier （LPB）. The battler＇s parameters can be conveniently determined by the LCD pixels and can help to greatly simplify the conventional design. The optical system of the proposed 3D display is built and simulated to verify the design. For further experimental demonstration, a 508-mm autostereoscopic 3D displayprototype is developed and it presents good stereoscopic images. Experimental results agree well wlth the simulation, which reveals a strong potential for 3D display applications.     

室温下射频磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜及其性能研究

采用射频磁控溅射技术,在室温下,以ZnO:Al2O3(2%Al2O3(质量比))为靶材,在石英玻璃基底上,采用不同工艺条件制备了ZnO:Al(AZO)薄膜。使用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌,X射线衍射分析了薄膜的结构,四探针测量仪得到薄膜的表面电阻,轮廓仪测量了薄膜厚度,并计算了电阻率,最后采用分光光度计测量了薄膜的透过率;研究了溅射功率、溅射气压与薄膜厚度对薄膜电阻率及透过率的影响。结果表明:所制备的AZO薄膜具有(002)择优取向,并且发现薄膜厚度对薄膜的光电性能有明显影响,溅射气压和溅射功率对薄膜电学性能有较大影响,但是对薄膜透过率影响不大。当功率为1kW、溅射气压0.052Pa、AZO薄膜厚度为250nm时,其电阻率为8.38×10-4Ω·cm,波长在550nm处透过率为89%,接近基底的本底透过率92%。当薄膜厚度为1125 nm时薄膜的电阻率降至最低(6.16×10-4Ω·cm)。     

有机溶剂对氧化铋纳米结构形貌和场发射性能的影响

为了研究有机溶剂对化学合成法中生成的氧化铋纳米材料结构及场发射性能的影响,反应过程中,分别添加三个不同剂量的有机溶剂,获得三种产物。利用扫描电镜对其结构进行分析,并进行场发射性能测试,结果表明,线状的氧化铋纳米材料阴极阵列,开启电场最小,为2.6 V/μm,场增强因子最大,为2160,场发射性能最佳,手状结构的氧化铋纳米材料阴极阵列场发射次之,类手状结构最差,最后对有机溶剂对不同形貌产生的原因进行了分析。     

基于全印刷技术的四针状氧化锌表面传导场发射器件

利用全丝网印刷技术制备四针状氧化锌表面传导场发射器件,并测试其场发射性能。SEM表明所合成的四针状氧化锌均匀地沉积在阴栅间隙,形成传导层。场发射测试结果表明,随着阳极电压增高,阳极电流增大,开启电压降低。当阳极电压为2 400 V时,器件的开启电压降为70 V;栅压为120 V时,器件最高亮度达550 cd/m2。对器件进行450 min的电流稳定性跟踪测量,其阳极电流波动在4%以内,表明该器件具有良好的场发射稳定性。     

基于DeepLabv3的随机褶皱防伪图案识别研究

针对现有防伪技术可靠性较低、容易被仿制、防伪成本高昂等问题,基于DeepLabv3,提出一种由热膨胀系数失配产生压缩应力形成随机褶皱防伪标识图.案的识别方法.具体采用深度卷积网络分类算法中DeepLabv3进行分类识别,通过优化全连接层并设置不同的神经元节点,提高识别网络的分类准确率,缩减训练时间,训练准确率达96.5...     

基于 LoG 算子改进的自适应阈值小波去噪算法

图像在传输过程中会受到各种噪声干扰,为了实现消除噪声的目的,提出一种基于LoG算子改进的自适应阈值去噪算法。首先,利用LoG算子提取图像的边缘特征信息。接着,根据图像的边缘特征和非边缘特征分别求取改进的阈值函数:对于图像非边缘部分的阈值函数,在软阈值函数的基础上添加一个阈值修正系数,构建新的阈值函数;对于图像边缘部分的阈值函数,将边缘部分小波系数附近的能量和阈值相结合,构建新的阈值函数。最后利用改进的阈值函数对图像R、G、B 3个通道分别处理,保留图像所有的细节信息。实验结果表明,消噪后图像与含噪图像的PSNR值高于传统自适应算法12.09%;MAE值低于传统自适应算法22%。该算法有效保存了图像的边缘信息,综合去噪效果明显提高。     

大功率LED伏安特性模型研究

研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED 芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函 数,构建出了大功率LED芯片的伏安特性新 模型和优化模型,模型中的系数采用最小二乘法进行确定。对大功率LED芯片的实测 伏安特性数据表明,本文构建出的优化模型比经典的PN结模型更能准确表征LED的伏安特性 ,与实测的伏安特性数据一致性更高,更具实用价值。     

基于Nios处理器的FED控制系统设计

FED是新一代真空平板显示器件,具有色彩自然逼真、响应速度快、宽视角、低功耗、矩阵选址等突出优点,应用范围广泛。FED显示控制系统是整个驱动电路的核心,随着分辨率和规模化的提高,需要高速的帧存储器和高速的接口,加速系统的运行速度,减少传输时间。主要介绍了一种采用Nios软核作为中央处理器,进行主要的计算处理、控制各种信号的FED显示控制系统。同时使用FPGA作为协处理器,把一些运算中常用到的耗用大量CPU时钟的运算以Nios软核的形式嵌入到系统中,利用动态可重构的原理实现各个软核函数的分时复用,提高了整个FED控制系统的性能。     

CNT-FED背光源中支撑体高度的优化研究

利用丝网印刷技术制备碳纳米管阴极并真空封装碳纳米管场发射(CNT-FED)背光源原型器件,研究了支撑体高度对碳纳米管背光源发射性能的影响,实验表明:支撑体高度增加,开启电压随之增加;达到同样的发射电流密度,支撑体越高,亮度也越高.支撑体高度为1 000 μm和2 000μm时,CNT-FED背光源发射性能较好,在电流密度为4 mA/cm~2情况下,支撑体高度为1 OOO μm时,亮度为1 800 cd/m~2;支撑体高度为2 OOO μm时,亮度为3 100 cd/m~2.选用支撑体高度为2 000 μm,制备出86.4 cm液晶平板显示器(LCD)用CNT-FED背光源,亮度最高可达8 000cd/m~2,发光均匀性为82%,稳定发射30 h,发射电流无明显衰减.     

表面处理对FED薄膜型金属电极性能的影响

针对场致发射显示器（FED）金属薄膜与玻璃附着力的特性,提出一种超声清洗和UV清洗相结合技术应用于薄膜型金属电极表面清洁处理。本文分析了超声清洗和UV清洗的基本原理．利用绿灯观测装置和大面积视频显微镜检测不同超声清洗时间和频率以及UV清洗对金属电极质量的影响,利用场发射测试系统测试经表面处理前后的金属薄膜电极性能。实验结果表明,FED金属薄膜电极在32kHz超声清洗10min,Uv光清洗5min后,电极表面干净,无尘埃和有机污物,金属膜层不脱落。显示器场发射性能稳定。