间歇供氨高温AlN缓冲层对AlGaN/GaN异质结的影响

研究了以间歇供氨的方法直接高温生长的氮化铝为缓冲层的AlGaN/GaN材料,高温氮化铝的应用可以有效的提高晶体质量和表面形貌,并且二维电子气的浓度和迁移率也得到改善。     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析

研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降.     

用于雷达的LDMOS微波功率放大器设计

硅LDMOS晶体管以其大输出功率和高效率等优点作为微波功率放大器广泛应用于雷达发射机中.在大信号S参数无法获得而厂家提供的1710 MHz～2110 MHz范围内的源阻抗和负载阻抗参数又不能用时,利用一公司的ADS软件,采用负载牵引法得到了输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配,成功设计出P-1大于30W、功率增益在1580MHz～1650 MHz频率范围内、增益保持在30dB以上和PAE大于30%的2级LDMOS微波功率放大器.同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2.5D仿真,得到了理想的结果.     

MOSFET模型参数的全域优化提取

本文采用最优化方法中的 L-M 方法,对 MOSFET 直流模型参数进行优化提取。采用了亚闽区、线性区和饱和区直流特性作为目标函数,并且考虑源漏串联电阻对 MOS 直流特性的影响。本文对 MOS 输出特性关于串联电阻的灵敏度分析,说明在线性区考虑它们的必要性。文章最后给出了实测结果与提取参数计算结果的比较。     

提高成品率的VLSI互连线线宽优化

金属互连线层的设计对VLSI成品率有着重要影响 .研究了制造缺陷与互连线层成品率的关系 ,通过关键面积概念说明了在有制造缺陷影响的情况下 ,互连线线宽参数对成品率的影响 .提出了一种基于线宽调整以期降低互连线缺陷关键面积、从而提高成品率的优化模型和算法 ,并通过 4× 4移位寄存器版图单元的线宽优化实例说明了这种互连线宽优化方法能有效提高成品率 .优化实例表明 ,线宽调整能够引起VLSI的开路和短路关键面积发生变化 .在设计规则容许范围内 ,根据实际版图的关键面积特点对互连线线宽进行优化 ,可以降低芯片对制造缺陷的敏感程度 ,从而提高制造成品率     

一种改进的VLSI关键面积计算模型和方法

从故障机理上研究了现有的     

电路成品率极大化的多目标优化设计的研究与实现

以集成通用运算放大器ＸＤ１５３１和海燕ＣＳ５４Ｅ－３－Ｒ型彩电遥控器电路为例，给出了电路多目标最优化设计的策略和方法，该方法可对其它多目标进行优化的同时兼顾对电路成品率极大化的要求，较好地解决了含成品率极大的多目标优化设计问题，最后给出了以ＳＰＩＣＥ２Ｇ５软件为基础电路成品率最佳逼近的多目标优化系统（ＥＭＯＣＡＤＳ）的设计方法。     

燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能

采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2～12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。     

衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1

该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。