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工业技术 | 151篇 |
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2022年 | 2篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 1篇 |
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1998年 | 2篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 4篇 |
1992年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
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101.
简要介绍了三维存储器出现的背景和几种得到广泛关注的三维存储器;建立模型分析了位成本缩减(BiCS)、垂直堆叠存储阵列(VSAT)和垂直栅型与非闪存阵列(VG-NAND)三种代表性的三维存储器的存储单元的形状对其性能的影响,从理论分析的角度比较了三种存储单元结构对其存储性能的影响;采用Sentaurus软件对三种存储单元的性能进行仿真,从编程/擦除时间、存储窗口和保持性能三个方面比较了三种存储单元结构的存储性能。理论分析结果和仿真结果都一致地表明BiCS结构的圆柱孔形存储单元比其他两种存储单元更有优势。 相似文献
102.
目的:研制抗玉米赤霉烯酮(zearalenone,ZEN)单抗独特型抗体并鉴定其特性,为建立ZEN无毒检测方法提供理论依据。方法:在研制抗ZEN单抗的基础上,将IgG与KLH偶联作为免疫原,免疫BALB/c小鼠,制备抗ZEN单抗独特型抗体;同时将经Protein G纯化的单抗用胃蛋白酶酶切获取Fab片段,作为检测原,并采用间接ELISA和间接竞争ELISA对抗独特型抗体特性进行鉴定。结果:所研制的抗独特型抗体能够与ZEN竞争结合ZEN单抗,与ZEN之间存在"内影像"关系。结论:成功研制抗ZEN单抗独特型抗体,可以替代ZEN标准品应用于ELISA检测。 相似文献
103.
试图用数学的方法,在将供应链上下游企业视为理性的决策主体的前提下,描述他们各自的期望效用,并运用委托一代理机制建立一个能使上下游企业的利益协调一致的模型,同时提出相应的激励措施。 相似文献
104.
PECVD多晶金刚石平面薄膜场发射特性 总被引:1,自引:0,他引:1
以n-Si为衬底,用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜。采用以金刚石薄膜为阴极的二极管结构测试了场发射特性,在6V/μm的电场下,场发射电流为5μA。研究了场发射的有效势垒随外加电场的变化,发现在有效势垒随外电场变化的曲线中存在一段平台。从理论上对这种现象进行了研究,分析了电子从Si衬底注入金刚石薄膜的方式,认为有效势垒的平台是由于缺陷能级在金刚石禁带中分布不均匀所致,并由此建立了在注入限制情况下多晶金刚石薄膜的场发射模型。根据模型计算得到有效势垒的理论曲线与实验曲线,反映了相同的变化规律。 相似文献
105.
针对喷淋无炉衬锰铁高炉在生产中存在的炉壳变型,中部结厚,渣皮脱落和炉缸烧穿等问题,结合现代高炉在本体结构方面的改进,提出了改进锰铁高炉本体结构的意见,并做了设计举例。 相似文献
106.
在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量子点中岛状量子点的比例为75%,其直径66nm,高11nm,密度4.5×109cm-2。利用透射电子显微镜分析了垂直自对准的Ge量子点的截面形貌,结果表明多层结构Ge量子点是垂直自对准的。Ge量子点及其浸润层的喇曼谱峰位分别为299cm-1和417cm-1,说明Ge量子点是应变的并且界面存在互混现象。采用光荧光谱分析了Ge量子点的光学特性。 相似文献
107.
108.
回顾了热助磁开关理论的发展,包括了Neel-Brown弛豫时间理论和Z.Li小组的有效温度或势垒降低模型,前者很好地解释了磁场驱动磁化矢量翻转的热开关过程,但是不能解释电流驱动磁开关工作机理;后者弥补了Neel-Brown理论的不足,较好地说明了电流驱动的磁开关机制,与实验基本符合。有效温度模型解释了开关电流随温度和测量脉冲宽度的下降;按照不同的脉冲宽度划分了开关的热开关和磁动力学开关工作区。在热开关区,临界电流较小,具有低的功耗,但是器件临界电流随温度而变,工作不够稳定且开关速度较慢;在磁动力学开关区,开关速度高,临界电流不随温度变化,工作稳定,但是功耗较大。实际应用中,应考虑适当的折衷。 相似文献
109.
110.
FTP服务的安全缺陷和解决方法 总被引:1,自引:0,他引:1
阐述了FTP服务器服务的安全缺陷,介绍了三种著名FTP服务攻击方法,提出了解决措施,并设计了一种较易实现的结合数字授权、数字验证、数字签名机制的FTP服务系统. 相似文献