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不同偏置条件下PMOSFETs的剂量率效应研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了不同剂量率、不同偏置条件下,PMOSFETs的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着剂量率的降低,PMOSFETs阈值电压的漂移更加明显;不同偏置条件、不同剂量率范围内表现出TDE和ELDRS两种不同的剂量率效应。利用亚阈分离技术对影响阈值电压漂移的氧化物陷阱电荷和界面态进行了详细的机理分析,认为ELDRS效应的产生是由界面态密度的差异导致的。 相似文献
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