分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用

用分子束外延技术生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料,并用ＨＡＬＬ效应法和电化学Ｃ－Ｖ分布研究其特性。讨论了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ宜质结杨效应晶体管（ＨＦＥＴ）的优越性。和ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ或ＨＥＭＴ相比,由于ＨＦＥＴ没有Ａｌ组份,具有低温特性好,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益ＨＦＥＴ。     

InGaN/GaN薄膜的阴极荧光研究

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统结合场发射扫描电镜对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上实现的不同生长温度条件下InGaN/GaN薄膜材料进行测试分析.利用CL紫外可见光谱系统,对(0001)面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的发光波长与In成分变化之间的关系,即随着薄膜...     

MOCVD制备InN薄膜的光学性质

利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究.吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.68eV,接近于现阶段主要报道值0.7eV.喇曼散射光谱实验说明窄光学带隙主要源于较低的背景电子浓度.利用椭圆偏振光谱不仅得到了纤锌矿InN临界点跃迁能量的值E0,同时首次得到了在0.65～4.0eV能量范围内复折射率实部n,虚部k的色散曲线.     

Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长

用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.     

掺In GaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理

比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。     

组分对SI—GaAs单晶特性的影响

本文报道了从不同组分熔体中生长半绝缘砷化镓(SI-GaAS)单晶的实验。结合其国内外组分与电学特性研究报道,分析了不同组分熔体生长的SI-GaAs单晶特性。     

市场现状已孕育不出新的全国性品牌

白酒行业的深度调整已近两年，在这一轮的行业洗牌期，经济的衰退以及政策的限制，对白酒行业的冲击前所未有。行业的调整，伴随着新品牌的诞生与老品牌的衰退，业内人士纷纷讨论，未来5-10年，是否会再度出现新的具有全国影响力的品牌。在笔者看来，行业很难再出现具有全国影响力的品牌。