InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构

研究了用MOCVD方法生长lnGaAlN四元合金材料的生长规律，发现生长温度在800～880℃．其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似，但比GaN慢．室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上。时间分辨光谱表明，在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区——在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区；而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区。     

利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究

采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN.通过改变低温GaN的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比得到不同样品.对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化.实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长...     

GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系

采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响.研究结果表明,高质量GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件.     

0.15μm栅长Ka波段GaN功率HEMT器件

<正>宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质,是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN/GaN HEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性