宽阻带平面低通滤波器的设计

低通滤波器是通信系统中关键的器件之一,常作为选频器件用来抑制干扰信号和谐波信号,因此低通滤波器阻带带宽成为关键指标.常见的平面低通滤波器采用短截线(分支线)或高低阻抗线结构,这些结构的低通滤波器阻带不够宽,一般在截止频率的2倍频或3倍频处出现寄生通带.本文使用等效的T形节替代低通滤波器中的串联传输线的方式实现了带阻滤波器嵌入到低通滤波器内部,既对低通滤波器的阻带上任意频段出现的寄生通带进行了抑制,又不影响低通滤波器的通带内性能,并给出等效T形节的综合设计公式.此结构综合设计方法严谨简单、易于平面电路实现,制作出来改进的低通滤波器对3倍频寄生通带进行抑制,扩宽了阻带带宽到4个倍频程以上,测试结果:通带带宽0~3GHz,通带插入损耗小于0.5dB,带外抑制3.6~12GHz大于60dB.     

限幅自保护高温超导接收机前端研究

提出了一种新型的、具有限幅自保护功能的新型高温超导高性能接收机前端系统方案。采用将高温超导限幅滤波器前置于低噪放进行混合集成,利用高温超导限幅滤波器优异的滤波和限幅特性实现同时具有高灵敏度和自保护功能的接收机前端。实验结果表明该滤波器可以有效地保护后端的低噪放不被烧毁或阻塞。采用超导-常规电路混合集成工艺研制而成的限幅自保护高温超导接收机前端具有优异的接收灵敏度,总噪声系数小于0.7 dB。     

一种简单的高温超导连续通带双工器设计

在双抛LaAlO3衬底上外延生长的钇系高温超导薄膜YBCO的基片上,设计并制作一个四级高温超导连续通带双工器（工作频率3.0～3.5GHz和3.5～4.0GHz）,与常规金属材料的双工器相比,体积减少3/4,插损减少2dB。在液氮温区77K时,测试结果为：通带内插损小于0.8dB,通带间带外抑制大于30dB通带中心频率。为近一步研制高温超导多工器提供了很好的借鉴,对将来高温超导信道化接收机系统的研究和设计具有重要的意义。     

无耦合交叉线高温超导准椭圆函数滤波器

提出了一种用于设计高温超导小型化准椭圆函数滤波器的新型多曲折谐振器结构,在不改变滤波器总体布局的情况下,通过优化谐振器结构来直接实现拓扑逻辑上非相邻谐振器之间的交叉耦合,引入多对传输零点以提高滤波器的带外抑制。既能利于实现滤波器的小型化,也能避免耦合交叉线对加工工艺的特殊要求。利用自拟耦合矩阵,在31.5 mm×15.6 mm,厚度为0.5 mm、介电常数为24的双面YBCO/LaAlO3/YBCO高温超导薄膜上,设计制作了具有3对传输零点的12阶CDMA 2 000高温超导滤波器。在77 K时测得滤波器的中心频率为830 MHz,带宽为10 MHz,带边滚降大于45 dB/MHz,带内插入损耗最优值小于0.4 dB,回波损耗整体优于-11.3 dB,加工测试结果与仿真设计结果基本吻合。     

一种耦合线加载的双通带滤波器

提出一种基于耦合线加载的双通带滤波器,该滤波器在开口矩形环内部加载两根相互耦合的微带,从而产生两个通带。与加载单枝节的双通带滤波器相比,该滤波器在设计时有更多可变参数和更小的调节步进。比如当耦合线宽度不等步进变化时通带中心频率会向相反方向变化,这一性质可以用作对两通带之间的频率间隔进行微调。测试结果表明,该滤波器有两个通带,其中心频率分别为3.78 GHz 和6.55 GHz,相对带宽分别为4.6%和4.8%。除此之外,还研究了调整加载耦合线的长度和宽度对滤波器频率特性的影响。仿真和实测结果之间良好的吻合证实了设计方法的有效性。     

连续通道微带双工器仿真研究

为了实现双工器小型化设计,采用全波仿真软件IE3D仿真设计了一种连续通道的微带双工器,所用是0．254mm厚的聚四氟乙烯合成材料的基片,得到工作频段为3．7～4．1GHz和4．1～4．5GHz的双工器,获得了各通道带内插损小于2．2dB,通带间带外抑制大于40dB@中心频率的仿真结果,设计过程对信道化接收机系统的研究和设计具有重要意义。     

S波段宽带定向耦合器的设计

介绍了宽带高方向性S波段10 dB定向耦合器的设计方法,并采用平行线直接耦合器结构设计了(2~3)GHz定向耦合器,设计的耦合器通带内直通传输系数为(-0.58~-0.69)dB,耦合系数为(9.27~9.57)dB,隔离端口隔离度大于等于20 dB。     

SIR广义切比雪夫同轴腔体滤波器仿真设计

利用阶跃阻抗谐振器SIR作为同轴腔滤波器的基本谐振单元,设计了一个利用交叉耦合来实现广义切比雪夫函数的同轴腔体滤波器。文章主要用微波CAD软件HFSS对理论进行了仿真验证,结果表明这种形式的滤波器较好地提高了滤波器的带外抑制能力,达到了对滤波器的小体积、低插损的设计要求。     

极低温下HEMT晶体管噪声参数提取

在极低温环境中,为实现对晶体管的噪声参数提取,该文采用嵌入网络和去嵌入式技术.在测试的过程中,将多工器嵌入到测试网络中,实现有源器件所需要的不同频率电源;同时,将多工器与直通校准件相连,利用噪声系数与增益之间的关系,分别求出嵌入网路中的S参数,后用Matlab编程计算.由此求出HEMT晶体管的噪声系数(NF),从而实现在极低温环境下的晶体管的噪声参数提取,为极低温下的微波电路设计提供有力的技术方案.     

1～4 GHz宽带低噪声放大器的设计

通过在两级级联放大器的后一级中采用负反馈网络来拓展放大器的工作频带,并在放大器的偏置网络中添加吸收回路来提高放大器的稳定性和改善其输入输出驻波比.利用ATF-54143设计了一款工作于1～4GHz的性能优良低噪声放大器(LNA).仿真结果显示,其增益G=21.3±0.35 dB,噪声系数NF≤1.2 dB,输入输出反射...