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以磨切单晶硅废料Si粉和SiC为原料,Y2O3-Al2O3-Fe2O3为复合烧结助剂,反应烧结法制备Si3N4/SiC复相陶瓷材料。运用L9(34)正交设计,研究了原料中Si、助剂Al2O3、Y2O3和Fe2O3的含量对陶瓷材料力学性能的影响和优化。采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对复合材料的相组成、断口形貌进行分析。结果表明,反应烧结后试样生成Si3N4结合SiC晶粒为主相,及少量SiALON与未反应的Si相的烧结体。Si含量对力学性能的影响最为显著,对于抗弯强度性能,正交试验获得的工艺优化参数:ω(Si):20%、ω(Al2O3):3.2%、ω(Fe2O3):0.8%和ω(Y2O3):2%。 相似文献
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前驱体酸碱添加剂对溶胶凝胶法制备LiFePO4的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
溶胶凝胶法作为一种常见的软化学方法用于LiFePO4锂离子正极材料的制备。通过在前驱体中添加盐酸或者氨水,考察不同酸碱添加剂对LiFePO4性能的影响。X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)用于材料物相及形貌的分析和表征,通过正极材料在空气中加热前后质量差计算得到正极材料中的碳含量。加入盐酸的样品的颗粒尺寸、碳含量及可逆容量得到较为明显的改善,在低充放速率下达到140mAh/g的容量。 相似文献
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低温燃烧合成La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85固体电解质粉末 总被引:3,自引:0,他引:3
低温燃烧合成工艺结合了溶液法和高温自蔓延合成超细粉末工艺的特点,可以在较低的温度下引发化学反应,并利用反应自身的放热效应维持反应的继续进行。在硝酸盐.柠檬酸体系中用该工艺直接合成了比表面积超过120m^2/g的La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85固体电解质超细粉末。研究了硝酸盐溶液起始浓度和pH值对产物性能的影响。 相似文献
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通过高温固相法制备了钠离子电池正极材料Na2/3Ni1/3Mn2/3O2,并对Na2/3Ni1/3Mn2/3O2的合成工艺参数进行了研究.通过对不同条件下制得的正极材料进行物化性质与电化学性能的表征,确定材料的最佳合成温度为900℃,最佳保温时间为12 h.在2~4.5 V电压区间内,0.2 C倍率下,材料首周的放电容量为110 mAh·g-1,100周充放电后的可逆容量为86 mAh·g-1,容量保持率达78.1%. 相似文献
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铌掺杂对Ce-Nb-TiO_2系压敏陶瓷结构与电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压(U1mA=7.22V/mm)、高的非线性系数(α=5.76),是一种很有潜力的新型电容-压敏陶瓷材料。铌掺杂主要是Nb5+对Ti4+的掺杂取代,该掺杂存在一饱和值。Nb2O5在不同的掺杂浓度下,存在的形式和位置不同,同时与一些低熔点化合物相如Ce2Ti2(Si2O7)O4等相互作用,使得样品的电性能发生变化。 相似文献
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La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85固体电解质合成及其性能 总被引:11,自引:0,他引:11
在NH4OH-(NH4)2CO3沉淀体系中用相转移分离法制备了La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85(LSGM1020)固体电解质前驱体,并在较低的烧结温度得到了纯度较高,杂质含量低的电解质陶瓷.用XRD,Raman光谱,直流四电极,交流阻抗谱和扫描电镜分析了电解质的晶体结构,电化学性能和显微结构.XRD和Raman分析表明LSGM1020电解质具有菱方钙钛矿结构,800oC时测量得到的氧离子电导率达到0.12S?cm-1.SEM和交流阻抗分析表明,烧结体具有良好的微观结构.采用相转移分离法合成LSGM1020有利于降低烧结温度,改善电解质的性能. 相似文献
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TiO2双掺Cr,Sb的光催化性能研究 总被引:7,自引:0,他引:7
采用共沉淀法制备了金属离子双掺杂的TiO2光催化剂,通过XRD,TEM,BET(表面积测定)和DRS(紫外-可见漫反射)测试手段对样品进行分析,以甲基橙为目标污染物对其进行光催化降解.研究结果表明:光催化活性是多种因素协同作用的结果,煅烧温度、掺杂以及样品的光吸收对光催化性能都产生影响.金属离子双掺杂可使光催化剂在可见光区具有光响应,在荧光汞灯激发下,其催化活性优于未掺杂的样品. 相似文献
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