电子产品可靠性评价与物理模型应用探讨

该文以电子产品的故障为出发点,从集成电路-封装、集成电路-芯片、电路板(或线路板)、电子元件、系统和多系统的角度论述了不同任务环境下电子器件的故障机理特点。系统论述了故障模式、影响及危害性分析(FMECA)和故障模式、机理与影响分析(FMMEA)两种故障机理分析方法,同时结合低周疲劳、高周疲劳、裂纹萌生、反应论模型、芯片失效等失效机理对故障物理元模型进行分类讨论,对电子产品可靠性评价与物理模型应用进行了系统的探讨,为电子产品可靠性评价及失效物理评估模型的选取提供了依据。     

集成电路抗ESD设计中的TLP测试技术

介绍了一种研究器件和电路结构在ESD期间新的特性测试方法——TLP法，该方法不仅可替代HBM测试，还能帮助电路设计师详细地分析器件和结构在ESD过程中的运行机制，有目的地进行器件ESD保护电路的设计，提高器件的抗ESD水平。     

电伴热在石化仪表及管道中的设计应用

介绍石油化工仪表及管道电伴热带的种类、组成结构、特点和应用范围,阐述电伴热带的选用原则,提出典型电伴热系统结构和安装过程中应遵循的原则,结合工程实例进一步说明了电伴热在仪表及管道伴热中的应用优势。     

不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.     

MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究

对MOS结构器件．要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有根多种．如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性。     

SCR 器件在深亚微米CMOS静电保护电路中的应用

:CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制.因此,对ESD保护的要求也更加严格,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施.针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理.旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向.     

国产A/D(模/数)、D/A/(数/模)转换器失效模式和失效机理研究

国产Ａ／Ｄ（模／数）、Ｄ／Ａ（数／模）转换器是重点电子产品,属大规模集成电路。我国军用和重点工程对Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ的需求很大,而目前高位数和高精度的该类产品主要仍靠进口。本文通过研究其失效模式和失效机理,可暴露存在问题,总结经验教训,寻找改进措施,促进该类产品研制与生产水平的提高,以利于国产Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ的进一步开发和发展。     

基于DNN的活性炭吸附预测及性能评价

传统机器学习在处理有限样本数据时,容易出现过拟合和梯度消失等问题。为解决该类问题,文中以生物质活性炭亚甲基蓝吸附作为研究对象,构建了一种基于深度学习的DNN预测模型。使用Adam算法动态调整学习率、加速网络收敛;采用Dropout函数缓解过拟合;使用ReLU函数作为激活函数解决梯度消失问题。所搭建的DNN模型预测精度和稳健性均显著高于传统的人工神经网络模型,在面对单一来源数据时,预测平均准确率达到99.9%,面对来自不同实验室的多重来源数据时,依然拥有99.8%的平均预测准确率。搭建好的DNN模型以较强的鲁棒性保证了自身的安全性和容错能力,符合数据庞杂且复杂多变的实际应用情况,同时可进行关键影响因子的非线性定量关系预测,从而辅助制备工艺的决策优化。     

中外射孔弹穿深数据相差过大之我见

射孔弹穿深是评价射孔弹性能的最重要指标。本文通过四川弹厂与外国公司的射孔弹打靶数据对比，反映了中外深穿透射孔弹的真实水平；通过分析外国射孔弹的特点，提出了对策，为中国深穿透射孔弹尽快赶上国际先进水平提供了一些思路。     

咸阳试验区气候变化对地下水影响因素分析

应对气候变化,进行了咸阳试验区地下水位随降水等主要气候因素变化的关系研究。研究表明,地下水位埋深较小、开采量较小时,气候因素变化与地下水位变化的关系密切;地下水位埋深较大、开采量较大时,二者关联性较差。人类长期不断增加地下水开采,是导致试验区地下水位持续下降的主要原因。研究结论可为制定应对气候变化的具体措施提供科学依据。