基于单片机的智能养鸡场控制系统设计

针对目前养鸡业所存在的问题,利用物联网的相关技术,设计了一款基于单片机的智能养鸡场控制系统.相较于传统的鸡养殖监测系统,基于单片机的智能养鸡场控制系统具有较好的抗干扰能力,能采集多种参数,与监测报警系统相结合则可以及时判断鸡舍环境是否出现问题并进行相应的处理,同时搭建起一个较为完善的管理系统,以为将来的技术扩充提供接口...     

新疆巴音沟河山洪案例分析

山洪灾害已成为我国洪涝灾害致人死亡的主要灾种,中小河流地区山洪灾害预警一直是山洪灾害防御的薄弱环节。文章以新疆巴音沟河2016—2019年发生的典型山洪为例,通过分析山洪实时预警、山洪灾害气象预警和山洪关系,建立了以实时降雨监测为主、山洪气象灾害预警为辅的预警方案,取得了较好的效果,并建议在新疆及其他干旱区山区中小河流山洪管理中进行推广使用。     

地下空间氡浓度与通风速率关联性研究

本文研究建立了地下空间空气氡浓度随通风速率变化数学模型。基于上述数值模型分析了地下空间通风速率1.0 m³·s^-1时的氡浓度变化规律,通过模型求解可知该地下空间氡浓度下降到平衡氡浓度的时间约为26.7 min。之后基于RAD7测氡仪开展了地下空间氡浓度的测量实验,实验结果显示:在空间初始氡浓度为137 Bq·m^-3、通风速率为1.0 m³·s^-1的条件下,氡浓度下降至平衡氡浓度37 Bq·m^-3的时间约为30 min。数值模型计算结果与实验结果相对误差仅为11.1%,这表明本文建立的数学模型具有一定的工程应用可靠性,可为地下工程的通风降氡环节提供技术支持。     

动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响

辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响.实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少.     

红外焦平面阵列探测器数据采集系统的校准验证方法

数据采集系统的校准验证是准确测试评价红外焦平面阵列探测器性能指标的技术基础.在分析红外焦平面阵列探测器数据采集系统工作原理特点的基础上,提出了利用通用设备和红外焦平面阵列探测器测试系统对数据采集系统进行校准验证的方法.实际测试结果表明该方法有效可行,实现了数据采集系统的采集误差限、线性度、系统噪声、采集速率等关键指标的校准验证.     

陕西省咸阳市多年地下水位动态影响因素分析

分析了咸阳市12个雨量站28a的系列降雨资料和区内宝鸡峡?泾惠渠?羊毛湾三大灌区28a引灌量资料,利用数理统计和典型井法对全市120眼监测井的水位系列资料进行了相关分析,初步明确了各地貌单元地下水位动态变化规律和成因类型,并提出了地下水开发利用中存在的主要问题和应采取的合理措施?研究结论可为咸阳市地下水资源合理开发和利用提供参考依据?     

温度和利用率对CPU性能的影响研究

随着高性能计算机处理器(CPU)功率密度的增大,温度对CPU计算性能的影响愈发突出。为了解决温度与CPU计算性能之间缺乏定量分析的问题,研究了CPU利用率对温度的影响以及温度对CPU评测分值的影响。采用SPEC CPU2006作为评测基准程序集,结合环境温度试验进行测评,对利用率、温度进行了监测采集。利用试验数据建立了温度和评测分值的对应模型,给出了更精确的评测分值。该结果能使CPU工作于合适的评测温度范围,减少温度对CPU评测分值的影响。     

电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究

采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.     

基于Verigy 93000的GMH 92 LV 18全参数测试技术

以GMH 92 LV 18为研究对象,研究了其功能与全参数测试方法,重点研究并形成了与该器件相关的功能测试方法、异步信号处理技术、信号的稳定生成技术、程控动态负载测试技术和时间参数测试技术,并给出了在Verigy 93000测试系统上的实测波形图。对Verigy 93000测试系统上的器件测试、LVDS器件测试及高速信号测试均具有借鉴意义。     

ESD应力下的NMOSFET模型

随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。