一种基于Messy GA的结构测试数据自动生成方法

结构性测试是标识测试用例的基本方法之一.由于程序语言的复杂性以及被测程序的多样性,自动生成结构测试数据的一种有效方法是根据程序运行结果指导生成过程,通过不断迭代,生成符合要求的测试数据集.提出一种基于Messy GA的结构测试数据自动生成方法,将测试覆盖率表示为测试输入集X的函数F(X),并利用Messy GA不需要染色体模式排列的先验知识即可进行优化求解的性质对F(X)进行迭代寻优,进一步提高了搜索的并行性,并最终提高测试覆盖率.对一组标准测试程序和若干实际应用程序的实验结果表明,较之现有基于遗传算法的生成方法,该方法能够以更高的效率生成更高质量的测试数据,并适用于较大规模的程序.     

一种基于协商的软件过程协同方法

大型软件系统的开发大多要求多人协同完成．软件过程协同的一个重要特点是协同的参与者都试图通过实施协同任务来取得最大化的获利，因而协同的决策和实施不是强制性的，而是由软件开发人员或软件组织经过协商来进行的．传统的软件过程建模方法中对软件过程协同的描述是刚性的，即在满足进入条件或者被显式调用时，协同就一定会被触发，并按照一个规定好的规则或方针来实施，这样的方法难以适应软件过程协同中所表现的协商特性．提出了一个基于协商的软件过程协同方法，将软件过程描述为一组相对独立的、自治的、理性的、协作的软件过程Agent，过程Agent之间的协同关系由过程Agent通过协商确定，相比传统的方法，具有能够更好地适应软件过程协同的特点．     

键合界面对面发射激光器的光、热性质影响

分析了采用双面键合长波长面发射激光器时，键合界面光吸收系数和电、热导率的变化对器件的光、热性质的影响。对于1λ光学腔的面发射激光器，键合界面吸收系数对器件光学性能影响较大，而对于1.5λ光学腔的面发射激光器，其光学性能基本不受键合界面吸收系数的影响。由有限元方法对面发射激光器的温度分布计算结果可知，当键合界面电、热导率小于GaAs电、热导率的1%时，激光器有源层的温度会有较大的上升。     

一种长波长MOEMS可调谐滤波器的结构设计和分析

提出了一种微光机电系统(MOEMS)可调谐滤波器结构,该结构采用GaAs/AlGaAs作为下分布布拉格反射镜(DBR),GaAs和SiO2/Si介质膜作为上DBR,空气作为腔.按照波分复用系统的性能要求对MOEMS可调谐滤波器各项参数,如带宽、峰值透射率、挠度和调谐速度等进行了分析和设计.研究了挠度和调谐速度与梁厚度、宽度、长度等参数的关系.结果表明挠度与长度成正方向变化,同梁厚度、宽度成反方向变化,而调谐速度与各参数的关系恰好相反.     

数字匹配滤波器VHDL软核的设计与实现

匹配滤波器是扩频系统中常用的捕获方法之一。本数字匹配滤波器软核用VHDL语言,采用参数化方法实现。根据数字匹配滤波器的结构,选择扩频码长度、采样点的个数等几个相关的变量作为可变的参数来设计。随时间的推移,还可以选用新的FPGA来降低成本,增加可靠性,或者制作成ASIC。     

粉末注射成形技术的现状及其发展趋势

本文介绍了国外粉末注射成形技术的主要工艺过程，特点，产品性能及应用范围等，并对其发展趋势作了进一步探讨。     

一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备

为了简化多电磁线圈MWECR-CVD装置,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合,以形成所需的新型磁场.这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方,显著提高了等离子体的能量密度.应用这种新型磁场的MWECR-CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比,薄膜沉积速度大幅度提高,沉积速度达到采用传统RF-PECVD装置时的数倍至十倍.     

随需应变,系统管理新境界

新世纪伊始,我们这个世界就面临很多的挑战,包括泡沫经济的破灭,反恐战争,直到与SARS的战役。面对世界和环境的变化,人类只能靠灵敏的反应去面对。 我们现在所面对的IT环境也是同样的情况。现在这些系统需要更大的灵活性、更灵敏的反应,才能满足不断发展的业务需求。过去我们的目标是建立一个尽可能完整的IT系统,包含符合我们系统标准的应     

大型隧道工程项目投资经济评价分析

通过工程实例对投资项目的经济合理性和风险，进行经济评价，提高投资项目的抗风险能力。     

GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算

讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应 ,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系。由克龙尼克 -潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级 ,给出了cl -hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲线 ,并与实验测量的GaInAs/GaAs量子阱的发射波长进行了比较 ,基本一致。与此同时 ,对GaInAs/GaAs应变量子阱向长波长方向的发展也进行了计算分析 ,最后计算研究了应变量子阱中价带子能级及态密度的色散关系