一个解析的适用于短沟SOIMOSFET's的高频噪声模型

提出了一个新的解析的适用于SOI MOSFET's的高频噪声模型.该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述.同时,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向.由于该噪声模型的简单性,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计.     

应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究

本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及CoSi_2/Si,CoSi_2,SiO_2界面形貌。结果表明,CoSi_2是除TiSi_2外另一个可用于MOS自对准技术的硅化物。     

北京大学国家集成电路人才培养基地建设思路

微电子是整个电子信息产业的基础，是一个国家综合实力的重要标志。在全球信息产业飞速发展、网络经济迅速兴起、知识经济初见端倪、现代国防和未来战争中尖端技术不断崛起的今天．微电子比以往任何时候都更显示出其重要的战略地位。据国际权威机构预测，到2012年，世界集成电路的年销售     

短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究

利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。     

多晶／单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型

在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷存储机理的Ｓ因子详细分析了发射区渡越时间与多晶／单晶界面参数之间的关系，区分了支配ＲＣＡ器件和ＨＦ器件发射区渡越时间的不同电荷存储机理，得到了有关获得高性能多晶硅发射区双极晶体管的结论．     

从硅集成电路技术到微系统技术

技术进步和市场需求促使ＶＬＳＩ从集成电路技术不断向微系统技术发展。本文将从微系统的一个分支－－硅微电子机械系统方面介绍和讨论有关这种发展的一些问题。     

离子注入对LPCVD淀积非晶硅固相外延的影响

应用高剂量(5×10~(15)/cm~2)的Si~+、P~+离子注入,成功地实现了LPCVD淀积在硅衬底上的非晶硅薄膜的固相外延。本文还研究了Si~+、P~+注入对低压气相淀积非晶硅薄膜固相外延的影响。实验发现,~(31)P~+能加速固相外延的速率,改善再结晶膜的质量,并能抑制SiO_2衬底上的成核,从而为固相生长绝缘衬底上的单晶薄膜(SOI)创造了条件。     

不同金属栅极的M-SiO_2-Si系统可动离子界面陷阱能量分布的研究

<正> 在当前大规模集成电路和微波、功率晶体管的发展中,电极已不复限于铝.诸如钛、铝、铜、金等已被广泛采用.特别是钼栅LSI的发展使人们对可动离子在M-SiO_2-Si系统中的运动动力学性质感兴趣.大量实验已证明可动离子在SiO_2中的输运性质和在界面陷阶中的分布,不能用单能极模型来描述,而是在陷阱中,按能量有一个分布.本文就是利用我们提出的,直接从实验TSIC曲线求出可动离子界面分布的近似方法,研究了用不同金属材料作为栅电极时,M-SiO_2-Si系统中可动离子的输运性质和它们在界面陷     

从消费大国到产业强国 在“2006年中国集成电路产业发展研讨会暨第九届中国半导体行业协会集成电路分会年会”上的主题演讲（摘要）

在“2006中国集成电路产业发展研讨会暨第九届中国半导体行业协会集成电路分会年会”上．中国科学院院士、北京大学微电子学院院长、中芯国际半导体制造有限公司董事长王阳元先生，在年会高峰论坛会上作了题为“从消费大国到产业强国”的主题演讲。王院士主要从我国集成电路产业经济背景，集成电路市场需求、集成电路技术发展、集成电路产业现状、集成电路战略目标和集成电路战略实施等六个方面，予以高屋建瓴、深入浅出的剖析，     

多晶硅膜的高压氧化

对未掺杂的、重磷掺杂的和重硼掺杂的多晶硅膜在812℃,7.5atm的高压水汽中的氧化特性进行了研究.为了比较,同时给出了(111)-Si 和(100)-Si的氧化结果.对未掺杂多晶硅,氧化特性和常压湿氧情况下类似,但标志初始迅速氧化阶段的时间t_1变短.对重磷掺杂多晶硅膜,加速氧化是很明显的.它能得到一个较大的x_(pod)/x_(SOM)厚度比率.对重硼掺杂多晶硅,在高压和常压下氧化速率都比(111)-Si快,但加速氧化的现象小得多.