多晶硅发射区晶体管的解析模型

在包括了更多的物理效应基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区晶体管的解析模型．把物理参数分为与多晶／单晶硅界面有关的界面物理参数和与纵向结构有关的纵向结构参数，建立了载流子传输机理的特征符号表示系统，给出了晶体管重要特性参数的解析表达式．应用这个模型详细分析了电流增益与两类物理参数之间的关系，并与部分实验结果进行了比较，得到了有关改善ＲＣＡ器件，ＨＦ器件和界面氧化层大面积破裂器件的电流增益的结论．     

集电极电流密度和基区渡越时间的解析模型

以小注入条件下的注入少子分布为初始值，本文依据送代法首次得到了适用于任意注入条件，基区从指数掺杂分布到均匀掺杂分布的集电极电流密度和基区渡越时间的解析表达式．三次选代的解析结果与数值迭代结果比较表明：在注入发射结电压ＶＢＥ≤１．０Ｖ的情况下，三次迭代形成的集电极电流密度和基区渡越时间的解析表达式有效．     

氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善

本文研究了不同气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒特性的影响。我们发现,采用氮气氛下衬底负偏压预溅射新工艺能明显改善GaAs肖特基势垒特性:势垒高度增高,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大。这种新工艺对于GaAs肖特基势垒特性改善和GaAs MESFETs性能提高是一个非常有用的技术。     

谈锲而不舍地发展我国微电子产业

一、微电子产业的战略地位 微电子产业对国民经济的战略作用首先表现在当代食物链关系上,现代经济发展的数据表明,GNP每增长100～300元,需要10元左右电子工业产值和1元集成电路产值的支持。又据有关资料测算,集成电路对国民经济的贡献率远高于其他门类的产品,如以单位质量钢筋对GNP的贡献为1计算,则小汽车为5,彩电为     

薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟

采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟．为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度，采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解，得到了较为理想的模拟结果．通过大量的模拟计算，较为详细地分析了薄膜深亚微米全耗尽SOIMOSFET的瞬态工作机理，为今后小尺寸CMOS／SOIVLSI电路的设计提供了理论基础．     

硅微电子技术物理极限的挑战

本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律，材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面的其来自于基本物理极限和实际的物理限制的挑战进行了讨论，其中起地基本物理规律的基本物理极限是不可逾越的，而在实际发展过程中由于材料、结构、工艺技术及电路和系统方面的一系列具体因素产生的实际物理限制则是有可能突破的。同时还探讨了从     

加强原始创新建设集成电路产业强国

作为电子信息产品的制造大国,我国不得不面对这样一个严酷的现实:由于缺乏用原始创新造就的核心竞争力,我国的绝大部分产品的制造都在为跨国公司打工。2004年,我国电子信息产业全行业的平均利润率仅为3.8%,而美国英特尔公司一家全年利润率为32%;韩国三星半导体公司全年利润率高达50%。这就是产业强国与消费大国、加工大国的本质区别,也是我们为何要立即抓住原始创新,造就核心竞争力的根本所在。     

ULSI相移光刻技术＊

相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。     

短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET''''s大信号电容模型

本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应等对电容特性的影响。通过与体硅器件的二维模拟和实测电容特性以及已报道的薄膜SOI器件电容模型相比较可知,本文模型可较好地描述短沟道SOI器件的电容特性。另外,所建电容模型形式简洁,参数提取方便,因而可做为薄膜全耗尽SOI器件大信号电容模型移植到电路模拟程序(如SPICE)之中。