Cd1-xMnxTe晶体衬底的红外透过性能

研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长,获得面积为30 mm×40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片;晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明,吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039,其中轴向成分波动差值约为0.0152,径向成分波动差值约为0.0013;x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5～55 cm-1;退火后,晶体的吸收边位置没有变化,表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明,晶片在红外光波数为4000～500 cm-1范围的红外透过率为45%～55%;退火后,晶片的红外透过率提高到61%以上,接近理论值65%.     

大型综合印染废水处理厂预处理系统优化研究

针对绍兴废水处理厂预处理系统中存在的问题,通过增加pH调节系统,完善药剂投加方式,改造原有系统缺陷,运行管理优化等一系列措施,提高了预处理系统的效率,可为相关废水处理厂的系统优化提供参考.     

新型金刚石膜微条气体室X射线探测器

以金刚石膜／硅复合材料作为基板．运用微加工技术在金刚石膜／硅衬底上光刻铬／金微条电极．制成了流气式微条气体室探测器。在室温及101．0kPa下,使用微机多道能谱仪及辅助电子学设备在5．9keV^55FeX射线辐照下测量了微条气体室探测器在不同电压下的能谱响应和脉冲信号。结果表明微条气体室探测器具有较高的信噪比,计数率≥10^3Hz,当混合工作气体Ar：CH4=90：10、漂移电压-1000V、阴极电压-650V、阳极0V时,能量分辨率达12．3％。     

CdS纳米微晶在PAN膜中的形成与特性

采用离子络合法在ＰＡＮ膜中制备了ＣｄＳ纳米微晶,根据红外吸收光谱和原子力显微镜的测试结果提出了可能的形成机理,并采用Ｘ射线衍射分析,紫外可见吸收光谱,激发和发射光谱对其特征进行了初步表征。     

基于云模型人工鱼群算法的模糊优化设计

云模型是通过熵来控制云滴的不确定度,并利用模糊集理论中的隶属函数来判断云滴的优劣,其正向云发生器可显著提高智能优化算法的全局寻优能力.为此,采用云模型中的正向云发生器来改进人工鱼群算法(称为云模型人工鱼群算法),并将其应用于机械零部件的模糊优化设计.首先,确定模糊综合评判所需的机械零部件的相关参数,并通过模糊综合评判确...     

温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体及性能研究

利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20～30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。     

MPCVD金刚石薄膜的红外椭偏光学性能研究

椭圆偏振光谱法是一种非破坏性光谱技术。为了获得微波等离子体化学汽相沉积(MPCVD)金刚石薄膜的最佳沉积条件,用红外 椭圆偏振光谱仪对MPCVD金刚石薄膜的红外光学性能进行了表征测量,并分析了衬底温度和反应室的压强对金刚石 薄膜的红外光学性质的影响。当甲烷浓度不变,衬底温度为750℃,反应室的压强为4.0kPa时,金刚石膜的红外椭偏光学性质达到最 佳,其折射率的平均值为2.393。研究结果表明,金刚石薄膜的光学性能与薄膜质量密切相关,同时也获得了最佳的金刚石薄膜工艺 条件。     

Parallel readout of two-element CdZnTe detectors with real-time digital signal processing

Readout electronics,especially digital electronics,for two-element CdZnTe(CZT) detectors in parallel are developed.The preliminary results show the detection efficiency of the two-element CZT detectors in parallel with analog electronics is as many as 1.8 and 2.1 times the single ones,and the energy resolution(FWHM) is limited by that of the single one by the means of analog electronics.However,the digital method for signal processing will be sufficiently better by contrast with an analog method especial...     

[001]织构和非织构CVD金刚石膜的电学特性

研究了「００１」织构和非织构金刚石膜的暗电流－电压特性、电流－温度特性以及在稳定Ｘ射线辐照下的响应。结果表明「００１」织构的金刚石膜相对非织构多晶金刚石膜具有大的暗电流和Ｘ射线响应。主要由于非织构金刚石膜含有大量的晶粒间界,导致对载流子的传输产生强烈散射。在高于５００Ｋ的温度区域内,随着温度的上升「００１」织构和非强构的金刚石膜的电流都将以指数式上升,这与Ｓｉ占据金刚石格点产生１．６８ｅＶ的激活能有关。     

金刚石膜在多孔硅发光中的应用

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法成功地在多孔硅上沉积出均匀、致密的金刚石膜。光致发光测量表明,金刚石膜可以有效稳定多孔硅的发光波长和发光强度,具有明显的钝化效应。金刚石膜的这个特点再加上高硬度特性使金刚石膜成为多孔硅的一种潜在的钝化膜。