浅析内外网隔离方案

本文主要介绍了双网隔离的解决方案,主要隔离方案有：双网双布线双电脑隔离模式;双网双布线硬盘隔离卡隔离模式双网单布线隔离交换机隔离模式;双网双布线网络主机隔离模式;双网单布线一分二膈离模式。针对上述方案,就隔离的效果、优点等进行分析、探讨。     

α-链对角占优矩阵与非奇异H-矩阵的判别

设A=（aij）∈Cn×n,若存在α∈（0,1）,使i∈N={1,2,…,n},｜aii｜≥Riα（A）S1i-α（A）,则称A为α-链对角占优矩阵。首先推广α-链对角占优矩阵的概念到广义α-链对角占优矩阵;利用这一概念得到了判别非奇异H-矩阵的几个判定方法,改进和推广了已有的结论。最后用数值例子说明了所给结果的优越性。     

CMOS运算放大器的辐照和退火行为

介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关.     

电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响

介绍了确定 CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明 ,恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响 ,但在一定范围内并不是造成辐射感生运放电参数衰变的最主要原因     

提升凹凸式离合器铡刀剪切精度的策略与方法

凹凸离合器铡刀的精密度直接影响钢板的剪切质量和加工速率。文章深入探讨了凹凸离合器铡刀的原理,并评估了其精度的标准和技巧。通过研究精度问题的根本原因和表现,深入探讨了影响凹凸式离合器铡刀剪切精度的因素,包括材料、工艺参数、设备和操作等。最终,提出了多种提高切割精度的方法和途径,涵盖了精心挑选和预处理原料,细致优化工艺参数,精确调试和维护设备,以及系统培训操作技巧等多个方面,同时对其他可能的优化路径进行了探索。以上方法与策略的实施有利于增强凹凸离合器铡刀的剪切精度,进而提高产品品质和生产速率。     

基于VxWorks的视频监视系统设计

视频监视系统在数据传输的实时性、高速性和中断响应上有着较高的要求。为此设计了一种在x86平台下利用实时操作系统VxWorks,采用PCI总线的视频数据采集显示系统并实现了视频监视功能。介绍了采用BT878A芯片的PCI采集卡的驱动设计,RISC指令执行流程及视频显示方法。     

消暑菜“冰临城夏”

在这烦热的夏日里,你给孩子做些什么呢?对,为孩子制造一份清凉,一份新鲜。于是与夏日最亲密的果蔬成了炎夏的主角,也成为最好的情趣使者。用不同的“好东东”精心搭配,就能让孩子惊讶得一塌糊涂,让他们的食欲活跃起来。让消暑菜“冰临城夏”吧,让夏季过得有滋有味,清凉惬意。     

多参数监护仪心率测量不确定度评定

正1概述1.1测量依据:JJG(苏)85-2009《多参数监护仪检定规程》。1.2环境条件:温度(20±10)℃,相对湿度不大于85%。1.3测量标准:心电图机及心电监护仪检定仪心率测量范围10~500次/min心率最大允许误差±1%。1.4被测对象:多参数监护仪心率测量范围30~300次/min心率最大允许误差±3%。     

CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析

通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性，各节点电流，电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化，探讨了引起运放电特性退化的主要原因，结果显示，由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称，在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配，是导致运放电参数发生剧变的根本原因，对CMOS运放电路来说，电路结构的匹配及MOSFET单管I－V持性的优劣，是决定运放抗辐射能力的关键。