退火气氛中痕量氧在反应形成Pt硅化物中的作用

利用X-射线衍射,XPS和AES技术深入地研究了退火气氛中氧对Pt硅化物薄膜的固相成分的影响,发现痕量氧引起硅和铂(Pt)的不完全反应.为了形成单相的PtSi膜,在退火过程中防止氧的沾污是非常重要的.     

金属-n型GaAs界面物理特性研究

利用I-V法和C-V法对由电镀形成的,和经不同温度热处理的(Ni/n-GaAs,Ni-Pd/n-GaAs,Pd/n-GaAs)肖特基结的主要物理参数进行了测量;并应用最小二乘回归法,编排了计算机程序,通过计算获得了比较精确的有关参数;同时还用俄歇电子能谱观察了这些样品中的金属与GaAs各组分的深度分布,及其不同深度下俄歇电子谱.研究结果表明,我们所采用的工艺能获得近理想的肖特基势垒,适当温度的热处理可进一步改善肖特基二极管性能.如果热处理高于这个适当的温度范围,则导致镓和砷的外扩散,二极管的性能也就明显劣化.     

Ti-AlN界面组分分布的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱（RBS），X射线衍射分析（XRD）和Ti-Al－N三元相图推断，铝化物是Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物。经850℃退火4h后其主要由Ti2AlN组成。     

氮化铝和莫来石陶瓷衬底的SIMS和XRD研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了用于电子封装的以Ｄｙ２Ｏ３,ＣａＯ为添加剂的ＡＬＮ和以堇青石,ＢａＣＯ３为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分,尤其是表面杂质,并利用ＳＩＭＳ尝试探讨了ＡｌＮ表面热氧化问题。结果表明,ＡｌＮ和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Ｌｉ,Ｃ,Ｆ,Ｎａ,Ｋ,Ｃｌ,Ｔｉ,Ｒｂ等杂质元素的污染;ＡｌＮ表面存在富Ｏ层,在空气中经过８５０℃１０分钟退火后,富     

Mo/α-Al_2O_3界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发方法，在200℃的抛光（1102）取向的蓝宝石（α－Al2O3）单晶衬底上淀积厚度为300nm的Mo膜。经870℃下不同真空退火时间处理后，运用MCs＋－SIMS技术进行了深度剖析，并结合XRD物相分析，对Mo／A2O3界面问题进行了探讨。结果表明，在Mo／Al2O3界面处存在原子相互扩散形成的过渡层。退火处理后，过渡层展宽，有MoO2生成。延长退火时间，过渡层变化不大。     

改造研制米糠榨油装置效益显著

湖北仙桃市通海口粮管所附属粮油加工厂青年工人张厚荣,对原来糠油土榨机进行彻底改造,研制出一套新的米糠榨油装置。自88年8月份投产至11月底,已生产米糠油     

Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。     

MIS多晶硅太阳能电池的AES和ESCA分析

<正> 为了解决能源问题,目前多晶硅太阳能电池的研究受到普遍重视.结构为50(A|°)Cr/60(A|°)Cu/32(A|°)Cr/20(A|°)SiO_2/Si的多晶硅 MIS太阳能电池,据报道可以得到 V_(oc)=0.50伏特,效率达8.8％.MIS多层结构的组份对于太阳能电池的功能有很重要影响.本文目的是利用AES和ESCA研究MIS多层结构的组份,以便改进太阳能电池的功能.     

大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算

在大剂量氧注入硅形成ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）的物理过程分析基础上，根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系，首次得到Ｏ＋对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式，同时提出埋ＳｉＯ２中的氧将主要向上界面扩散，排除了以前的作者在研究ＳＩＭＯＸ材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性．在考虑了主要的大剂量注入效应，如体积膨胀、表面溅射、氧在ＳｉＯ２内的快速扩散等，得到氧在硅中的深度分布，经过超高温退火，认为氧硅发生完全的化学分凝，据此设计出快速计算大剂