谈新形势下水利勘测设计单位发展之路

对新形势下水利勘测设计行业的发展机遇和面临的挑战进行了分析,从把握发展方向、转变设计理念、创新科技手段、强化内部管理、加强人才培养等方面对水利勘测设计单位未来的发展进行了论述,为新形势下水利勘测设计行业的发展提供了参考性建议。     

铬不锈钢/碳钢梯度材料的耐腐蚀性研究

通过水溶液电沉积法在碳钢表面电沉积铬,并在高温下进行扩散退火处理,形成了一种铬不锈钢/碳钢梯度材料。采用电化学测试实验法对该材料的耐腐蚀性进行研究;利用Tafel直线外推法对基体与铬不锈钢/碳钢梯度材料的极化曲线进行拟合。结果表明:铬不锈钢/碳钢梯度材料的耐腐蚀性要高于碳钢基体的;随着含铬量的增加,梯度材料的耐腐蚀性依次增强。表面Cr的百分含量与腐蚀电位的关系为E=-1.6+0.01514 W_(Cr)。     

紫禁城内井亭刍议

通过实地调查和查阅相关文献,对紫禁城内28座井亭的现状作了分析,归纳出它们的大木类型分为四类,探讨了这四种类型井亭的施用位置、结构特点和排水方式等,勾绘出紫禁城内井亭现状的总体印象。     

软件定义存储市场趋势

正IBM软件定义存储相对于其他厂商的软件定义存储发布,IBM的软件定义存储,更多侧重于在IT演进过程中,如何提高各种工作负载的存储资源部署使用效率和自动化管理水平。在大数据、云计算和移动互联时代,随着IT从传统的IT架构管理向IT服务交付转变,用户在存储技术的选择过程中,越来越关注工作负载的资源部署、管理效率。IBM的软件定义存储的重点放在"开放、灵活、高效",消除了IT演进过程中可能消除的     

基于无人机电力巡检的椭圆稀布阵列天线的优化方法研究

为了提高电力巡检无人机的电磁检测性能,同时降低阵列天线馈电网络的设计难度,本文提出了一种基于无人机电力巡检的椭圆稀布阵列天线的优化方法,该方法设计的阵列天线的最高旁瓣电平较低,因此具有很好的环境抗干扰能力,同时采用等幅同向馈电,可以有效降低阵列天线的功耗,大大提高无人机的巡检时间。利用改进智能优化算法,通过优化阵列单元的位置,使得最高旁瓣电平(PSLL)尽量低。仿真结果表明,本文提出的方法能够有效降低阵列天线方向图的最高旁瓣电平,对具有41个阵列单元的椭圆阵列天线进行优化,优化后的阵列天线方向图的最高旁瓣电平在-22dB以下。     

CdSeTe分子束外延技术研究

对HgCdTe红外探测器CdSe_xTe_1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSe_xTe_1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSe_xTe_1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(J_Se+J_Te)/J_Cd和J_Se/(J_Se+J_Te)的变化。J_Se/(J_Se+J_Te)值较小时,Se组分较难融入外延层;J_Se/(J_Se+J_Te)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若J_Se/(J_Se+J_Te)值较小,则Se组分增长趋势...     

CdZnTe衬底的退火改性技术研究北大核心CSCD

针对高性能碲镉汞红外探测器对碲锌镉(CdZnTe)衬底质量需求的不断提升,采用高温-真空退火方式,对碲锌镉衬底进行退火改性研究。结果发现:碲锌镉衬底的红外透过率得到明显地改善,在红外波段(2.5~25μm)均达到60%以上;晶片中的第二相夹杂得到极大地改善,可实现无大于1μm的第二相夹杂,即可实现红外显微镜下夹杂不可见;Zn组分分布均匀性得到极大地改善,通过退火分压的调节,可实现衬底中Zn组分可调和Zn值的组分均匀分布,其中Zn组分可控制在0.044~0.051范围内,成分标准偏差可控制在0.001以下,衬底的组分可控和均匀分布为大面阵碲镉汞红外探测器的质量提升奠定了坚实的材料基础。     

偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究

晶面偏角是提高(211) Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的新方向。     

不同腐蚀时间对CZT(211)B衬底的影响分析

主要分析了不同溴甲醇(溴体积比为0.05%)腐蚀时间对CZT(211)B衬底表面粗糙度、总厚度偏差、红外透过率、Zn值以及X射线衍射半峰宽(FWHM)的影响。研究发现即使使用溴体积比0.05%的溴甲醇溶液腐蚀5 s,衬底表面粗糙度都会由0.5 nm增加至1.5 nm以上。随着腐蚀时间的增加CZT(211)B衬底总厚度偏差逐渐增加。使用溴甲醇作为抛光液的两个样品的Zn值明显低于使用氨水作为抛光液的样品,同时该两样品的X射线衍射半峰宽和红外透过率随腐蚀时间的变化趋势一致,但不同于使用氨水作为抛光液的样品,说明不同的抛光液影响CZT(211)B衬底表面Zn值以及表面损伤层等表面状态。     

Si基双色碲镉汞材料阻挡层生长及表征

报道了Si基中短波双色碲镉汞(MCT)的最新研究进展。阻挡层的生长与表征是获得材料参数精确控制、晶体质量良好的Si基中短波双色HgCdTe材料关键所在。经过阻挡层生长工艺优化,解决了双色HgCdTe材料缺陷直径较大的问题。缺陷直径控制在10 μm以内,缺陷密度控制在2000 cm-3以内。并使用光致发光技术(PL),得到了不易直接获得的双色HgCdTe材料阻挡层的组分信息。