2GHz低功耗差分控制的CMOS单片LC压控振荡器

设计了工作在2GHz,差分控制的单片LC压控振荡器,并利用0.18μm CMOS工艺实现.利用模拟和数字(4位二进制开关电容阵列)调频技术,压控振荡器的调频范围达到16.15%(1.8998～2.2335GHz).在2.158GHz工作频率下,在1MHz频偏处的相位噪声为-118.17dBc/Hz.应用给出的开关设计,相位噪声在不同的数字位控制下变化不超过3dB.由于利用pn结二级管作为变容管,在调频范围内,相位噪声仅改变约2dB.压控振荡器在1.8V电源电压下消耗2.1mA电流并能够在1.5V电源电压下正常工作.     

CMOS宽带可变增益放大器

设计了一种CMOS宽带、低功耗可变增益放大器.在分析使用源极退化电阻的共源放大器高频特性基础上,通过加入频率补偿电容改变放大器的零极点分布,在不增加功耗的情况下扩展了带宽.分析了放大器在低增益下出现的增益尖峰现象并加以解决.使用跨导增强电路提高了放大器的线性度.两级可变增益放大器使用TSMC0.25μm CMOS工艺.仿真结果表明,放大器在3.3V电压下核心电路功耗为3.15mW,增益范围0～40dB;在负载为5pF电容时3dB带宽大于340MHz,输出三阶交调点高于3.5dBm.     

CMOS mm-wave transceivers for Gbps wireless communication

The challenges in the design of CMOS millimeter-wave (mm-wave) transceiver for Gbps wireless communication are discussed. To support the Gbps data rate, the link bandwidth of the receiver/transmitter must be wide enough, which puts a lot of pressure on the mm-wave front-end as well as on the baseband circuit. This paper discusses the effects of the limited link bandwidth on the transceiver system performance and overviews the bandwidth expansion techniques for mm-wave amplifiers and IF programmable gain amplifier. Furthermore, dual-mode power amplifier (PA) and self-healing technique are introduced to improve the PA''s average efficiency and to deal with the process, voltage, and temperature variation issue, respectively. Several fully-integrated CMOS mm-wave transceivers are also presented to give a short overview on the state-of-the-art mm-wave transceivers.     

一种基于灵敏放大器的新型触发器及其通过伪PMOS动态技术的速度改进

提出了一种基于灵敏放大器的新型触发器.和其它触发器相比,该触发器在近似相等的功耗下能以更快的速度工作,并且其所需要的MOS管少,芯片占用的面积也少.这种触发器消除了"假信号"问题,通过使用伪PMOS动态技术,它的速度可以得到进一步的提高.     

一个适用于无线内窥镜系统的ASK中频接收机电路

实现了一个适用于无线内窥镜系统的低功耗ASK中频接收机电路.该接收机包括一个用于补偿信道衰减的自动增益控制环、一个ASK解调器和基于能隙基准源的偏置电路,接收机电路已采用0.25μm CMOS工艺实现.测试结果表明,该电路可以从功率在-30～10dBm之间的中频信号中正确解调出数字基带信号,中频工作频率为20MHz.电路采用2.5V电源,消耗的电流仅为2.1mA.     

一种新的相位开关实现技术及其在射频双模预分频器中的应用

提出了一种新的相位开关实现技术 .基于这种技术设计了一个 2 / 3分频器单元 ,该单元结构简单 ,工作频率高 ,功耗低 .为了验证该技术 ,采用 0 .2 5μm CMOS数字工艺实现了一个 12 8/ 12 9双模预分频器 .对该芯片的测试结果表明其能正确工作于 GHz频率范围 .当工作频率为 2 .3GHz时 ,它消耗的电流仅为 13.5 m A(2 .5 V电源电压 ) ,芯片面积为 0 .4 7mm× 0 .4 7m m.     

频率覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO

通过提高MIM电容的调整范围,实现了一个覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO.该VCO使用0.18μm射频CMOS工艺制作,芯片面积约为1260μm×670μm.当输出5.5GHz时,VCO内核消耗功率为17.5mW;在100kHz频偏处的相位噪声是～101.67dBc/Hz.     

用于大载波频偏的MSK数字解调器

介绍了一种适用于大载波频偏的MSK数字解调器,基于同步-频偏校正联合算法实现,利用归一化处理,解决信号幅度不稳的问题;通过Matlab仿真,确定了电路结构和各模块参数.该解调器性能良好,误码率可达到10-3@Eb/N0=9,同时能够适应较高的载波频偏,在5×10-4的收发机频偏影响下,解调性能仅比无频偏时下降0.4 dB.MSK解调器的硬件电路已通过FPGA验证,并应用于内窥镜胶囊体外便携式基站中.     

CMOS宽带可变增益放大器

设计了一种CMOS宽带、低功耗可变增益放大器.在分析使用源极退化电阻的共源放大器高频特性基础上,通过加入频率补偿电容改变放大器的零极点分布,在不增加功耗的情况下扩展了带宽.分析了放大器在低增益下出现的增益尖峰现象并加以解决.使用跨导增强电路提高了放大器的线性度.两级可变增益放大器使用TSMC0.25μm CMOS工艺.仿真结果表明,放大器在3.3V电压下核心电路功耗为3.15mW,增益范围0～40dB;在负载为5pF电容时3dB带宽大于340MHz,输出三阶交调点高于3.5dBm.