快响应薄膜式高压锰铜传感器

本文采用磁控溅射技术制作了新型的薄膜式锰铜超高压力传感器,获得了32ns的快速响应,同时,研究了传感器的安装方式及绝缘封装层的厚度对传感器响应时间的影响关系。     

蓬勃发展的无源元件

随着信息与通信产业的迅速发展,对无源元件的需求量急剧增长,使无源元件的产销呈现一派大好形势,无源元件生产厂商的经济效益上升,无源元件产业进入了一个高速发展景气周期。本文总结了无源元件在高速发展时期的一些特点。     

展纳米雄风 振信息伟业 电子应用领域纳米技术显身手

纳米材料与技术是近十年兴起的综合性高技术,它将对各个科技及产业产生深远的影响。本文在概念纳米材料与技术的特殊效应——表面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应与宏观量子隧道效应的基础上;着重讨论纳米材料与技术在电子领域,特别是微电子、光电子、磁性、传感器、纳米电池等中的应用;文中最后概述了国内外在纳米材料与技术方面研究的最新成果。     

三维多芯片微组装组件

三维多芯片组件（3D-MCM）是在二维多芯片组件（2D-MCM,通常指的MCM均系二维）技术的基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于：3D-MCM是采用三维(x,y,z方向）结构形式对IC芯片进行三维集成的技术,而3D-MCM则是在二维(x,y方向）对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进入高密度组装,是IC芯片的二维集成技术。三维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要方向,是微电子技术领域跨世纪的一项关键技术。     

铝电解电容器技术现状及未来发展趋势

铝电解电容器正向着小体积、大容量、低成本、高频低阻抗方向发展,其生产技术亦有了长足的进步,产品格局也在不断变化之中。本文介绍了铝电解电容器在片式化、固体化和高比容电极箔制造技术等方面最新的发展状况和铝电解电容器未来的技术发展趋势。     

EMI滤波连接器板式阵列芯片的研制

EM1滤波连接器是传输信号和抑制导线或电缆电磁干扰的器件.简述了滤波连接器板式阵列芯片的原理和结构设计,比较了干法和湿法工艺在生产板式阵列芯片时各自的优点,着重介绍了干法工艺制备板式阵列芯片的工艺生产过程.通过优化流延工艺、控制丝网印刷精度、提高不同材料的匹配共烧兼容性和增强耐压等处理,成功地研制了不同规格型号的EMI滤波器板式阵列芯片.     

Effect of Sintering Time on the Microstructure of Porous Tantalum

采用高比容钽粉(<0.45μm)通过真空烧结的方法制备了多孔钽金属,研究了在1150℃条件下烧结保温的时间(10,20,30,40,50 min)对多孔钽金属的微观结构以及孔隙性质的影响。实验发现多孔钽金属的孔隙率在50%(体积分数)附近,其积累体积大小分布为0.08 cm3/g相似文献   

基于LTCC技术的垂直堆叠结构电容的设计

通过HFSS软件对基于LTCC技术的垂直堆叠结构的电容进行三维建模,利用ADS软件对等效电路进行拟合计算.设计出工作频率为1 GHz下有效电容值为30 pF的垂直堆叠结构电容.通过分析电容的结构参数对有效电容和品质因数的影响可知,增加电容值可以通过增加介质的相对介电常数、极板面积等来实现,这对埋置电容设计和调试具有理论...     

三维多芯片组件蔚然成器

三维多芯片组件具有高组装密度、信号延迟时间短、系统性能高等优点，对电子系统的小型化、高速化有重要意义，九十年代以来在军事、通信、计算机等领域发展迅速。本文简要介绍了几种主要的三维多芯片组件。