日本铝电极箔制造技术研究的新进展

总结了日本近几年在铝电解电容器电极箔制造工艺上所取得的成果,着重分析阳极箔交流腐蚀中的多级变频复合腐蚀工艺、预处理工艺及阳极箔化成工艺的最新进展。指出目前我国电极箔生产技术在几个方面与日本的差距。     

铝电解电容器用阳极箔扩面腐蚀机理的研究

研究了高纯电子铝箔在HCl溶液中的电蚀行为,提出了Cl对铝的氧空位输运侵蚀机理,指出Cl在侵蚀膜表面吸附,以及在膜内部传输的机制,并利用该机理模型很好地解释了高纯电子铝箔在HCl溶液中的电蚀行为。     

多层陶瓷电容器技术现状及未来发展趋势

介绍了MLCC在容量提高、产品小型化和集成化、电极贱金属化等方面最新的技术动态和发展趋势,指出了未来MLCC的关键技术在于微细粉体的处理,超薄(≤1 mm)生坯的制备,精密切割技术及贱金属电极的研制开发。     

全球半导体市场亮点闪烁

据美国SIA预测,全球半导体市场高速成长的驱动力主要来源于互联网络与电子商务的蓬勃发展和迅速普及。若以产品类分析,DSP与存储器类电子产品的增长速率为最快。 2000年仍将保持高速增长的势头达1625亿美元,比1999年增长16.25％;预计2001年达1910亿美元,比2000年增长17.8％,2002年将增长2157亿美元。 以产品类别分,模拟IC器件市场在未来四年间将增     

阳离子分布对尖晶石型热敏陶瓷电性能的影响

以高温固相反应法合成了Mn3 -xNixO4( 0 .5≤x≤ 1 .0 )和Mn3 -x -yNixCuyO( 0 .5≤x≤ 1 .0 ;0≤y≤ 0 .5 )材料 ,用XPS和XRD手段对尖晶石结构中存在的阳离子价态和分布情况进行了研究。指出随Ni含量的变化 ,Ni占据A位的比例w为 :w =5 49.6×e-2 .85 174x 并探讨了阳离子分布对电性能的影响。同时指出在Mn3 -x -yNixCuyO材料中存在着占据B位的Cu+,Cu+的出现使得B位相应产生了大量的可引起跳跃电导的Mn4+,且产生了第二种跳跃电导机制 :Cu+oct+Mn+oct→Cu2 +tet +Mn3 +oct 。这一发现可以成功解释该系材料的电导率和热老化系数比未掺杂Cu的同类材料高得多的原因。     

3-DMCM实用化的进展

介绍了 3- D MCM的四种封装模式的应用实例 ,详细讨论了各种模式的工艺 ,优点及存在的问题。 3-D MCM是未来微电子封装的发展趋势。     

MCM计算机辅助设计技术

系统阐述了ＣＡＤ技术在ＭＣＭ设计中的作用、ＭＣＭ ＣＡＤ的环境及ＭＣＭ ＣＡＤ的方法和流程,指出了目前国内外ＭＣＭ ＣＡＤ技术的发展现状和发展趋势,分析了目前ＭＣＭ ＣＡＤ设计技术的研究热点。     

薄膜式锰铜传感器——一种新型的超高压力传感器

文中综述了动态高压锰铜传感器最近十多年来的研究现状,着重介绍了一类新型的锰铜传感器———薄膜式锰铜传感器的研发进展。该类传感器的研制旨在提高传感器高压测试极限和缩短响应时间。目前已进行了直到80GPa以下的初步标定,响应时间最快达32ns     

镱薄膜高压传感器的准静态压阻特性研究

采用真空蒸发技术在聚酰亚胺、云母、陶瓷及基板上制作了镱薄膜传感器,研究了该传感器在７０ＭＰａ～２ＧＰａ范围内准静态单轴压缩载荷下电阻－压力的变化关系。结果表明该传感器精度高、重复性好、工艺简单。     

高密度微电子封装技术

多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八