一种快速的微电子封装结温预测方法

由于传统热阻（Rja、Rjc）的局限性，使得在板级、系统级热设计／热分析时结温难以精确计算。本文基于响应面有限元法，建立了一种快速、准确预测微电子封装结温的方法。在25种边界条件下，与ANSYS仿真结果相比，最大误差〈5％，表明该方法是一种有效的微电子封装热设计／热分析方法。     

基于LTCC工艺的DC-DC电源模块中电感的改进设计

为了使电源模块小型化,基于LTCC铁氧体工艺,通过理论计算和软件仿真,对DC/DC电源模块中的电感进行了改进设计。用LTCC内埋置电感代替了传统线圈,最终成品的体积和高度都大大减小,体积约为改进前的五分之一,效率达到80%,测试结果基本符合设计要求(10 W,3μH)。     

叠层片式大电流磁珠的成型工艺

叠层片式大电流磁珠是一种特殊的叠层片式磁珠,主要应用于电源部分的电磁干扰( EMI)抑制.研究分析了叠层片式大电流磁珠三种主要的成型工艺,及其制作的叠层片式大电流磁珠的优缺点.结果表明,交迭印刷法最适用于叠层片式大电流磁珠的制作;相比较另两种工艺,其优点表现为:合格率最高,达到98.5%;无表面开裂现象,侧面开裂比例最...     

有机固体电解质钽电容器的失效机理及预防措施

有机固体电解质钽电容器具有等效串联电阻(Res)小,温和的失效模式和高频特性好等特点,在很多电子信息领域都显示出独特的优势。结合传统钽电解电容器的失效机理和大量的统计实验结果,对有机电解质钽电容器的失效模式进行了详细分析,指出了介质氧化膜的晶化及导电聚合物膜层失效是导致有机钽电容器失效的主要因素,并提供了相应的解决方案,为高可靠性片式有机钽电容器的生产提供了技术支撑。     

硅通孔三维封装技术研究进展

芯片叠层封装能够大幅提高集成度,硅通孔技术是集成电路三维封装的发展方向.但是随着封装密度增加功率密度增大,对散热的要求也愈加迫切.对芯片散热的最新进展进行了介绍,着重研究了微管液体冷却技术,在讨论了相关模型的基础上,对微管的制备方法进行了分析.     

光敏性二胺的合成研究

简述了光敏性二胺中间体在光敏聚酰亚胺合成中的作用和特点:研究了光敏性二胺中间体的合成方法与工艺;探讨了溶剂、温度、催化剂等因素对合成反应的影响规律:对产物的结构进行了测试。     

三维多芯片组件

三维多芯片组件系统集成技术具有组装密度、组装效率及性能更高,系统功能更多等优点,是实现电子装备系统集成的有效途径及关键技术。介绍了３ＤＭＣＭ主要结构（埋置型、有源基板型及叠层型）的特点,并对一些应用实例作了说明。     

ATMP改善铝阳极氧化膜高温耐水合特性的研究

采用浸渍-热处理法,用表面处理剂氨基三甲叉膦酸(ATMP)对铝阳极氧化膜进行表面处理,研究了ATMP溶液的浓度、温度以及热处理温度对氧化膜升压时间和比容的影响.结果表明:随着热处理温度的升高,氧化膜的升压时间先减小,后延长,400℃时的升压时间最短,氧化膜的比容变化率随热处理温度的升高逐渐减小;溶液的温度和浓度对氧化膜的升压时间影响不明显,但对氧化膜的比容及其比容变化率有较大的影响.FTIR分析证实铝阳极氧化膜采用此方法进行表面处理后,有效地改善了其高温耐水合特性.     

电容器用铝箔阳极氧化膜的改性研究

阳极氧化膜是电解电容器的工作介质,其质量的优劣直接影响着铝电解电容器的性能。形成前将腐蚀箔在约７５℃左右的Ａ溶液（约０．２ｍｏｌ／Ｌ）中浸泡约１０ｍｉｎ,然后在５７０℃左右热处理３ｈ,阳极氧化膜的结构与性能会得到极大改善,铝箔比容可提高２５－５０％,形成电量降低３０－５０％,从而可有效提高形成效率。