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针对数种无铅焊料,如Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-In与Sn-Ag-Cu四种合金,尤其是具应用潜力的共晶无铅合金与Cu、Ag、Ni三种基材的接触,整理分析了其重要的基础性质——反应润湿,可作为无铅焊料相关研究的参考。 相似文献
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氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。 相似文献
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近两年高温超导又取得了巨大的进展,特别是在:(1)新的更高温度超导体系的探索,这包括进一步提高Tc值和合成新结构、新类型的超导材料;(2)材料的应用基础研究,主要指超导块材、线材、带材、膜材料的制备和改进,包括SQUID、Josephson结和微波无源器件;(3)对高温超导现象的解释和机理的研究方面尤为显著。本文重点介绍过去一年高温超导在材料研究方面的主要进展。 相似文献
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采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性。结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 祄,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长。界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47.97佟m。价电子谱发现:室温下仅纯ZnO费米能级附近有载流子分布,这表明:压敏电阻界面有陷阱态,氧化锌压敏电阻界面电输运特性需用载流子陷阱对双肖特基势垒进行补充。 相似文献
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测试了高纯电子铝箔(以下简称铝箔)在2mo1/L HCl和2mo1/L HCl 0.5mol/L H2SO4溶液中三角波动电位激励时的电流响应曲线,用Daubechies2小波对所测得的电流响应曲线进行了时频分解,研究了SO4^2—在铝箔交流扩面电蚀工程中的缓蚀机理.提出了铝箔在含Cl^—溶液中点蚀时的氧空位侵蚀机理模型,该模型指出在一定的酸度条件下,在侵蚀膜表面形成的正电荷集中点是C1^—与SO4^2—发生特性吸附的原因;C1^—在侵蚀膜内的主要传输途径是存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位链;进入侵蚀膜内的SO4^2—在强场作用下发生离解,离解出的O^2—与侵蚀膜内的氧空位作用,致使氧空位湮灭,切断了Cl^—在侵蚀膜内的传输途径,同时由于这种作用调整了Cl^—在侵蚀膜内传输的网络结构,增加了蚀孔内新生蚀孔的萌生机率,从而在铝箔电蚀扩面腐蚀工程中起到了独特的缓蚀作用、 相似文献
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