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101.
报道了超高真空气相氢渗透实验装置的设计及研制。用溅射离子泵获得超高真空,监测室本底真空度为6×10~(-7)Pa。用圆弧刀口银垫片活密封方式对试样进行密封,实验的极限温度可达650℃。采用B-A规对渗透氢流所引起的压强变化进行动态监测,再通过标准漏孔对系统进行标定,从而定量监测氢渗透动力学过程。采用本实验装置,准确地测量了HR-1型奥氏体不锈钢的氢渗透热力学参数。 相似文献
102.
3-D MCM 的种类 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了3-D MCM封装的种类,其中包括芯片垂直互连和2-D MCM的垂直互连。芯片的垂直互连,包括芯片之间通过周边进行互连,以及芯片之间通过贯穿芯片进行垂直互连(面互连);2-D MCM模块垂直互连,包括2-D MCM之间通过周边进行互连,以及面互连的模式。 相似文献
103.
<正> 根据全球各个市场调查公司的估测,2001年至2002年的全球半导体市场规模的增长率从-6%至6%都有,其中以 SIA 估计最为乐观(6.3%),而 In-Stat 最为悲观(-5.7%)。相比2001年衰退30%以上,2002年将是一个经济缓慢恢复的一年,普遍 相似文献
104.
1 全球真空设备市场根据日本真空协会 ( JVIA)统计 ,1 998年全球真空产业产值约为 1 0 0亿美元 ,其中 ,70 %为真空设备 ,30 %为真空零部件。在 70亿美元的真空设备产值中 ,73%为半导体生产设备 ,7%为平面显示器( Flat Panel Display;FPD)生产设备 ,1 0 %为信息储存媒体及电子零部件 ,其他应用设备则占 1 0 %。1 998年全球真空设备市场受全球半导体业不振影响 ,较 1 997年大幅衰减 2 7.8% ;预计半导体产业日趋发展的情况下 ,全球半导体厂商将相继投产新设备 ,也将带动未来全球真空设备市场的发展。 1 999年真空设备需求值增长 8.6% ,2 0… 相似文献
105.
106.
介绍了阳极Ta2O5薄膜的电化学形成机理,并重点分析了电化学形成的Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展。描述了影响电化学Ta2O5薄膜生长的关键因素,包括氧含量、杂质缺陷和薄膜晶化等;分析了Ta2O5薄膜漏电流机理,如空间电荷限制电流(SCLC)、Fowler-Nordheim(F-N)导电机理、Pool-Frenkel(PF)发射、Schottky(S)发射等。最后展望了降低电化学Ta2O5薄膜材料的漏电流的理论及技术发展前景,Ta2O5薄膜后期的热处理、高分子增强塑性和复合薄膜技术等方面的新技术的应用将值得期待。 相似文献
107.
108.
109.
110.
电子焊料的无铅化及可靠性问题 总被引:11,自引:0,他引:11
随着环境保护意识的增强,人们更清楚意识到铅的剧毒性给人类健康、生活环境带来的严重危害,全球范围已相继立法规定了使用含铅电子焊料的最后期限,无铅封装,无铅焊料成为了近年来的研究热点问题。本文主要叙述了研究无铅焊料的驱动力,以及无铅焊料须满足的基本要求、常用无铅焊料的优缺点和改进方法,同时介绍了无铅化焊接由于焊料的差异和工艺参数的调整,给焊点可靠性带来的相关问题。 相似文献