硅基二氧化硅保偏光波导起偏器的设计

利用平面波导结构中的双折射效应并结合模式理论,设计了一种新型Si O2 / Si基的保偏波导起偏器,使得两个正交偏振模式中的TM模式被截止,TE模式可以通过.利用三维有限差分光束传输法(3D FD- BPM)进行数值模拟,结果显示,当入射波长为1.5 5 μm,器件长度为8mm时,起偏器的消光比可高达到5 0 d B以上.在不增加工艺复杂度的前提下,采用这种光波导的结构可以直接制作起偏器,同时还可以方便地与其他平面波导器件集成.     

基于半导体光放大器交叉增益饱和的波长转换的理论分析

建立了基于半导体光放大器交叉增益饱和的波长转换的理论模型。分别讨论了小信号下波长转换特性和大信号下转换波形的畸变情况。结果表明,半导体光放大器的载流子寿命是导致输出波形畸变的主要因素。     

二维磁性光量子阱对共振隧穿光谱特性的影响

基于非磁性材料开腔光量子阱结构设计了非磁性闭腔光量子阱和磁性材料光量子阱结构。用时域有限差分法(FDTD)计算了这三种量子阱结构的透射谱和光场分布,研究了各量子阱中的量子化能态,论证了完全依靠自身结构在很大程度上增强透射光谱强度的可行性。研究发现,光子隧穿磁性光量子阱结构时透射率接近1,能量损失小;与非磁性闭腔光量子阱结构相比,能够减小器件体积,增加能带工程的自由调节度,获得更加丰富的光子束缚态,因而更具优越性。计算结果表明,开腔光量子阱为行波阱,这种阱俘获光子的能力较弱;闭腔光量子阱和磁性材料光量子阱均为驻波阱,局域光子的能力很强,且磁性材料光量子阱可以产生更大的光场梯度。     

低偏振灵敏度半导体光放大器

报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器 (SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益 ,使之接近TE模的增益 ,从而使SOA的偏振灵敏度大为降低。在 150mA的偏置下 ,获得了 2 4dB的小信号增益和 1dB的偏振灵敏度。     

光分组交换中光标记技术研究

光标记交换是一种光交换新技术,能有效克服光交换中的电子瓶颈,其技术关键是光标记的产生和提取.本文对新型副载波复用、载波抑制和分离、正交调制这3种光标记新技术进行了描述与讨论,并比较分析了各自的优缺点及实用化前景.     

光无源器件的偏振模色散测量

光纤通信系统中的偏振模色散 (PMD)测量已越来越重要。针对光无源器件的具体特点 ,以单级光隔离器和双级光隔离器为例 ,分析比较了几种PMD的测量方法 ,指出琼斯矩阵本征法 (JME)是较适合的一种方法。     

光纤通信中的光放大器(上)

本文论述了光放大器在未来光纤通信中的重要作用,比较了将成为实用化器件的光纤放大器与半导体激光放大器的性能特点与应用前景。     

SOA双折射效应对超短光脉冲光谱特性的影响

探讨了半导体光放大器(SOA)中的双折射效应对超短光脉冲光谱特性的影响。双折射使得SOA对光的相位调制具有偏振相关性,TE模和TM模具有不同的光谱分布,从而总的光谱被展宽。研究表明,超短光脉冲在SOA中发生的光谱展宽中,很大程度上是来源于相位调制的偏振相关性,并与SOA的工作电流、光功率和脉冲形状等因素有关;通过在有源区中引进合适的应变和合适的波导设计,有可能消除这种不利影响。     

无源光网络中光线路终端信号的复接

详细介绍了TDMA PON中OLT信号复接方法和实现方案，简要说明了可编程逻辑芯片的选择，给出了用VHDL硬件语言实现复接的结构。