碳化硅连续纤维增强钛基复合材料的研究进展

评述了SiC纤维增强钛基复合材料(Ti MMC)在航空发动机上的研究现状,指出Ti MMC具有优异的力学性能,因而有广阔的应用前景,而SiC/Ti的界面反应是影响Ti MMC性能的主要因素.还对开展Ti MMC研究提出了一些建设性的意见.     

深冷处理对T12钢磨料磨损性能的影响

采用磨料磨损试验机和透射电镜研究了深冷处理对Ｔ１２钢耐磨性及显微组织的影响,用Ｘ－射线衍射仪对晶体结构作了定量分析,结果表明,深冷处理可提高Ｔ１２钢的耐磨性,残留奥氏体部分转变为马氏体,微细碳化物将在马氏体孪晶带及位错线处析出,碳化物类型为η－Ｆ２Ｃ。     

SiC/Ti6Al4V复合材料界面反应产物的形成序列及扩散路径

通过SiC/Ti6Al4V钛基复合材料的制备及在不同条件下的热处理试验，利用SEM，EDS及XRD分析技术研究复合材料界面反应产物相的形成及反应元素的扩散路径。结果表明：反应元素如C，Ti，Si在界面反应层中出现浓度波动，合金元素Al并没有显著扩散进入界面反应产物层，而是在界面反应前沿堆积，其界面反应产物被确认为Ti3SiC2，TiCx，Ti5Si3C，和Ti3Si；在界面反应初期，存在着TiC＋Ti5Si3Cx双相区，当形成各界面反应产物单相区时，SiC／Ti6Al4V复合材料界面反应扩散的完整路径应为：SiC ｜ Ti3SiC2 ｜ Ti5Si3Cx ｜ TiCx ｜ Ti3Si｜ Ti6Al4V＋TiCx；界面反应产物层的生长受扩散控制，遵循抛物线生长规律，其生长激活能Q^k及k0分别为290.935 kJ·mol^-1,2.49× 10^-2 m·s^-1/2.     

准贝氏体界面错配位错的TEM观察

运用透射电镜证明含Ｓｉ钢准上贝氏体和准下贝工体中铁素体／残余奥氏体的界面错配位错是混合型位错，使得界面能沿其法线方向作滑移运动，表明贝氏体可以切变形成。     

β黄铜中贝氏体生长的高温动态研究

本文运用透射电镜对β黄铜贝氏体片生长进行了高温原位动态研究,并运用体扩散控制生长的Trivedi模型及Zener—Hillert模型分别对贝氏体片的伸长和加厚进行了分析,发现在贝氏体片的初期生长尖端即存在层错亚结构和切变应力场,贝氏体片的实际伸长速率不符合Trivedi模型,加厚仅在宏观上表现为受体扩散所控制,其实质仍为一切变过程。     

二硅化钼──用途广泛的金属间化合物

本文从二硅化钼（ＭｏＳｉ２）与几种先进高温材料的性能对比引出ＭｏＳｉ２的基本特性，根据各种应用领域对材料性能的不同要求，概述了ＭｏＳｉ２的改性方法和应用前景。     

Fe－C合金贝氏体在奥氏体贫碳区切变相变机制的价电子理论分析

本文运用固体与分子经验电子理论，计算了Ｆｅ－Ｃ合金发生马氏体转变的临界阻力以及中温等温时的相变阻力，讨论了贝氏体在贫碳区切变形核的可能性。     

Cu—Zn合金中贝氏体及平衡相的加厚和剪切应力场

用高温电镜原位观察了Ｃｕ－Ｚｎ合金中贝氏体及平衡相的加厚过程，贝氏体的加厚具有明显的层错切变性质，经长时间等温后，贝氏体退化为平衡相，其加厚表现出体扩散加厚的特性，动力学计算贝氏体与平衡相的加厚均不符合体扩散控制的台阶机制。     

钨硅二元体系化合物稳定性、力学性能和电子结构的理论计算研究

钨硅二元体系化合物除了具有难熔金属硅化物共有的高熔点、高强度、强的抗氧化性和抗形变能力的同时,还表现出了许多其它卓越的性能特点,目前已得到广泛的应用。基于密度泛函理论对钨硅二元体系所形成化合物WSi_2和W_5Si_3的稳定性、力学性能和电子结构进行了研究。通过计算5种钨硅二元体系相结构的点阵常数、形成焓、弹性常数、体模量、剪切模量、拉伸模量、泊松比、各向异性因子以及维氏硬度等物理量得到其晶体结构和力学性能等信息。此外,通过对WSi_2和W_5Si_3的总体和局部态密度的计算得到钨硅二元体系化合物的成键机制。计算结果表明,在钨硅二元体系化合物的5种稳定相结构中,β-WSi_2表现出了最高的稳定性和力学性能。态密度的计算结果也进一步证实了这一点。同时,态密度的计算结果表明这5种稳定相结构的成键机制均是较强的共价键和一定程度金属键的混合。结果可对基于钨硅二元体系化合物的新材料的设计提供新线索和理论基础。     

机械合金化制备MoSi2／ZrO2超微晶复合粉末的可行性探讨

利用ＱＭ１ＳＰ型行星式球磨机和Ｘ射线衍射仪,对含有大体积分数（２０ｖｏｌ％）ＺｒＯ２粒子的Ｍｏ、Ｓｉ元素粉末混合物用机械合金化法制备ＭｏＳｉ２／ＺｒＯ２超微复合粉末的可行性进行了探讨。结果表明,当混合粉末机械研磨至１１５ｈ后,可形成以六方βＭｏＳｉ２晶相为主的超微混合粉末;对该粉末进行热处理后,混合粉末中除了四方αＭｏＳｉ２和ＺｒＯ２晶相外,还有较多的Ｍｏ５Ｓｉ３相存在。