介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器

硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。     

应力敏感油藏中考虑启动压力和二次梯度的非线性渗流模型

从质量守恒原理出发,详细推导出了应力敏感油藏中考虑启动压力梯度和二次压力梯度非线性不稳定渗流偏微分方程。并通过变量代换,将渗流方程拟线性化,最后利用Douglas-Jones预估一校正法求得模型的数值解。讨论了不同参数变化时井底压力的变化规律,做出了典型压力曲线图版。曲线在形态和特征上与线性模型曲线明显不同,不再遵循“0．5线”规则和“单位斜率”规则。启动压力梯度因子影响压力降落曲线晚期上翘段的斜率,该因子越大,曲线上翘程度越大,当其很小时,压力导数曲线出现水平直线段。     

注水井深部复合调驱技术的应用及效果

濮城油田中高渗油藏已进入高含水开发后期,三大矛盾突出,开发效果逐年变差,应用缔合聚合物进行深部复合调驱,有效封堵大孔道及高渗条带,改变驱油方向,提高波及系数和驱油效率,油藏取得了良好的开发效果。     

980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制

采用相同生长结构的MOCVD外延片,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵,发射及接收波长相同,由谐振腔模式决定.采用双氧化电流限制结构,优化串联电阻,提高电光转换效率,制备980nm波段发光器件及1×16列阵芯片,发射谱线半宽≤4.8nm,注入电流为50mA时,发射功率为0.7mW.对列阵芯片用探针进行在线检测,器件均有良好的发光特性.接收器件光电响应具有良好的波长和空间选择特性,谐振接收波长可利用不同角度光入射实现简单易行的调节.通过腐蚀器件顶部DBR的方法调节入射镜反射率,可以分别实现具有单片集成结构的谐振增强型发射和接收器件的优化设计.     

狗肾血管构筑及血管和肾小管相互关系

成年狗4只,采用两种标本制作方法:①肾血管铸型,使用甲基丙烯酸甲酯(70％)和甲基丙烯酸丁酯(30％)混合予聚液为铸型剂,方法见文献1。②肾血管灌注乳胶后,除去结缔组织,同时显示肾血管和肾小管。主要步骤:肾动脉插管,注入氯丁乳胶至肾血管完全充盈;10％福尔马林固定一周;将肾横切成1mm左右的薄片;8N HCl,58℃30分钟;2％Tween—20,58℃,20分钟;酒精序列脱水;CO_2临界点干燥。两种标本真空镀金,在Hitachi—S450及JSM—35CF扫描电镜下观察及照相。     

大黄多糖提取方法、结构及药理活性概况

蓼科植物大黄是临床常用中药,富含大黄多糖,具有多种生物活性。本文综述了大黄多糖的提取方法、结构及其药理活性,以期为开发大黄植物资源、大黄多糖的研究及其应用提供参考。     

基于局部气候分区的土地覆被变化时空分析

长三角生态绿色一体化示范区位于江苏省、浙江省和上海市的交界处,在长三角一体化进程中发挥着重要作用.为了探究示范区 自2008年以来的土地覆被变化及其驱动力,结合2008年的Landsat-5 TM光学影像和双极化PALSAR数据以及2020年的Sentinel-2 MSI多光谱光学影像和双极化PALSAR-2数据,采用...     

Design and Characteristics of InGaAs/GaAs MQW SEED Arrays Structure

讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs／GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响．采用InGaAs／GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区,从而获得了980nm工作波长．设计和分析了InGaAs／GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构．多量子阱材料是用MOCVD系统生长,利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量,证明了器件结构的设计和分析是准确的．     

选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响

本文提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法．利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通过模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响，使调整后再生长的器件模式位置大为改善，并为器件后期制备的模式调节提供了可靠的依据     

利用C6H8O7/H2O2溶液对AlxGa1-xAs/GaAs的

针对MEMS(micro-electro-mechanical svstem)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点.测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础.