生长温度对类金刚石膜结构和发光性质的影响

使用脉冲激光沉积技术制备了系列无氢类金刚石薄膜,测量了样品的Raman光谱、光吸收光谱和光致发光光谱,研究了薄膜结构和光致发光性质与制备条件的依赖关系。结果表明,这种薄膜是由少量sp2键和大量sp3键组成的非晶碳膜。薄膜的光学带隙在1.68~2.46eV,发光在可见光区呈宽带结构。生长温度能够对类金刚石薄膜的结构和发光性质产生较大影响。当生长温度从室温升高至400℃时,sp2团簇的变大使C原子的有序度增强,从而导致薄膜的光学带隙变窄,发光峰红移且半高宽变小。     

ZnO/PS异质结的光学和电学性质

用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构及光学和电学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多缺陷.光致发光谱显示,PS的发光与ZnO的发光相叠加,呈现白光发射.对异质结I-V特性曲线的测量表明,异质结呈现出与普通二极管不同的整流特性,其反向电流不饱和,据此提出了能带模型.     

有机染料在多孔铝中的发光研究

用电化学方法制备的多孔阳极氧化铝具有孔径大小均匀、相互平行、排列规则的微孔结构 ,可作为多种发光材料的透明基底 .以多孔铝为载体 ,将有机染料嵌入多孔铝孔中 ,获得有机染料固体镶嵌膜 ,测量了镶嵌膜的吸收光谱、光致发光谱 .镶嵌膜的吸收光谱和液相染料的吸收光谱基本一致 ,光致发光谱的发光峰位蓝移 ,发光强度降低 ,但光谱线型更趋于对称 .实验结果表明染料以单体形式存在于多孔铝中 .通过对衬底多孔铝进行一系列后处理 ,发现热处理和扩大多孔铝空隙率可以增强镶嵌膜的发光强度     

多孔氧化铝模板的制备及性质研究

多孔氧化铝由于具有规则的纳米多孔结构,是制备各种纳米材料的良好模板,因此,研究多孔氧化铝的制备和物理性质具有重要的意义.采用阳极氧化方法制备了多孔氧化铝有序孔洞阵列,通过场发射扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)观测了样品的表面、截面的形貌和晶态结构,分析了样品的透射光谱性质.结果表明,制备的多孔氧化铝模板的孔洞分布有序,孔径大小均匀,严格垂直底面;模板具有非晶态结构,在可见光和红外波长范围内具有较高的透射性能.     

多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅（porous silicon,PS）衬底上用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition,PLD）在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示,制备的ZnS薄膜沿β—ZnS（111）方向择优生长,较高的生长温度下,衍射峰强度较大。SEM结果表明,250℃生长的Z...     

氧等离子环境下影响多孔硅光学特性的因素

研究了多孔硅（porous silicon,PS） 在氧等离子体环境中退火温度和存储时间对PS光学稳定性的影响。通过光致发光（PL） 谱和傅里叶变换红外光谱对系列样品进行分析。高斯拟合结果显示PL谱由三个高斯峰叠加而成,其中至少两个高斯峰是由非量子限制效应造成的,即第一峰面积的变化与Si=O双键密切相关,第三峰面积的变化与Si-O-Si桥键以及SiHx（x=1,2）键有关;退火温度对以上两个峰的强弱变化有直接影响。     

型钢连接装配式混凝土梁柱节点力学性能研究

现有装配式混凝土结构的连接方式大多为套筒灌浆或浆锚连接,施工现场工艺复杂,质量难以保证.因此,本文参考钢结构构件连接方式,提出一种新型型钢连接装配式混凝土梁柱节点,在预制节点核心区和预制梁、柱的连接部位植入型钢,通过焊接来实现构件间的可靠连接.利用有限元分析软件建立数值模型,进行非线性静力分析,有限元计算结果与试验结果吻合良好.扩充有限元参数分析范围,进一步研究了钢材强度、预制梁纵筋配筋率和梁拼接段型钢腹板厚度等参数变化对节点力学性能的影响程度.研究结果表明:该连接方式施工简便,传力可靠,显著改善了节点的力学性能和破坏形态,符合"强节点弱构件,强柱弱梁"的设计准则,可为装配式混凝土构件的连接方式提供参考.     

n-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器及其光电性能研究

利用脉冲激光沉积(PLD)方法在p-GaN衬底上沉积了n-ZnO薄膜,构造了n-ZnO/p-GaN异质结型紫外(UV)光-电探测器原型器件,在(UV)光照条件下测试了器件的光电性能。扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)测试结果表明,ZnO薄膜具有很好的结晶质量;I-V曲线显示,器件在黑暗和光照环境下都表现出明显的整流行为;光谱响应曲线表明,器件响应度峰值出现在364nm附近,当反向电压为-5V时光电流达到饱和,此时响应度峰值达到1.19A/W。不同反向工作电压下的光谱探测率曲线表明,器件对364nm附近的UV光有较强的选择性,在-2V偏压下具有最佳的探测率,其探测率峰值达到8.9×1010 cm·Hz1/2/W。     

纳米多孔氧化硅的制备及荧光光谱研究

为了制作性能良好的光电子集成、光波导等器件,研究纳米多孔氧化硅膜的制备和表征具有重要意义。采用高温氧化多孔硅的方法制备了纳米多孔氧化硅,进行了两种样品的荧光光谱和傅里叶变换红外吸收谱对比检测。相比于多孔硅,多孔氧化硅的发光峰值向短波方向"蓝移"并且发光强度明显降低。多孔硅表面基本是由氢饱和的,而经氧化后的多孔氧化硅表面的Si—H键大部分被Si—O键所代替。结果表明,量子限制效应是样品的荧光光谱"蓝移"的原因,而发光强度的降低则归因于样品表面辐射复合中心的减少和内部纳米硅柱(硅晶粒)尺寸的减小。     

制备参数和后处理对ZnO薄膜光学性质的影响

采用脉冲激光沉积技术在不同生长气氛氧压(10-3pa1、0-2Pa、10-1Pa、1Pa、10Pa)和生长衬底温度(250~600℃)下制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。光致发光(PL)光谱表明,氧压和衬底温度对ZnO的光学性质有重要影响。制备紫外(UV)发射强的ZnO薄膜,要综合考虑氧压和衬底温度两个参数,衬底温度升高,氧气氛压强要相应升高。进一步研究表明,在化学配比失衡的情况下,升高衬底温度和退火会在ZnO中产生缺陷和杂质束缚电子态,束缚电子态引起的晶格弛豫使局域电子态发生多声子无辐射跃迁,ZnO深能级发射由辐射复合变为无辐射复合。