La在Si/SiO2界面的电效应

(一)引言 除金(Au)以外,作者们还曾详细地介绍过稀有金属钯(Pd)、钆(Gd)、铑(Rh)等在si/SiO_2界面呈现的类似的负电效应。并且讨论过该效应的普遍性及其改善器件表面性质的可能性。近来我们在实验中,又观察到镧(La)也是具有负电效应的杂质,同样能引起MOS结构C-V曲线,包括高频和准静态曲线,沿正栅压方向明显移动。本文介绍的是掺La界面电特性的主要结果。 (二)实验 MOS样品是在电阻率为8—12Ωcm的<111>P型Si单晶片上制成的。Si片是经研磨、SiO_2胶体抛光和化学抛光制成的,厚度约为300μm。在1150℃下HC1和干氧的混合气流中氧化30min,使Si片表面生成厚度约为1200的SiO_2薄膜。去除Si片背面的SiO_2后,在干氮下,从背面扩入La,进而在不同条件(温度、时间、气氛等)下,对     

电力静电感应晶体管大电压特性的改善

A novel structure for designing and fabricating a power static induction transistor（SIT）with excellent high breakdown voltage performance is presented.The active region of the device is designed to be surrounded by a deep trench to cut off the various probable parasitical effects that may degrade the device performance,and to avoid the parallel-current effect in particular.Three ring-shape junctions（RSJ）are arranged around the gate junction to reduce the electric field intensity.It is important to achieve maximum gate–source breakdown voltage BVGS, gate–drain breakdown voltage BVGD and blocking voltage for high power application.A number of technological methods to increase BVGD and BVGS are presented.The BVGS of the power SIT has been increased to 110 V from a previous value of 50–60 V,and the performance of the power SIT has been greatly improved.The optimal distance between two adjacent ring-shape junctions and the trench depth for the maximum BVGS of the structure are also presented.     

低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs

采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺 ,研制出了高性能 ,低电压工作 ,适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管 .该器件在 175 MHz、 12 V低电压工作条件下 ,输出功率为 12 W,漏极效率为 70 % ,功率增益为 12 d B     

低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs

采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺,研制出了高性能,低电压工作,适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管．该器件在175MHz、12V低电压工作条件下,输出功率为12W,漏极效率为70%,功率增益为12dB．     

静电感应晶闸管开通过程的研究

深入研究了静电感应晶闸管的开通时间、关断时间,它们受空穴存贮时间、栅宽、n~-区的厚度、阳极电流及栅极抽出的峰值电流的影响,在工艺中需要折衷考虑.研究结果对于静电感应器件,特别是对于静电感应晶闸管的设计和制造有一定的实用价值.     

影响微细铝条等离子刻蚀的物理化学因素

本文全面地研究了微细铝条等离子刻蚀的有关问题.从实验上给出了刻蚀的各向异性、均匀性以及刻蚀速率等基本参数与设备、工艺和物理因素的关系.成功地刻出了线度为1.5～2μm、厚度1.5μm的微细铝条.     

影响集成电路管芯成品率的诸工艺因素(二)

上文中我们就对集成电路管芯成品率影响较大的光刻质量,版面设计等六个工艺因素进行了分析。现在我们再从工艺程序等四个方面对管芯成品率的影响作一讨论。 一、工艺程序的设置对成品率的重要影响 使用怎样的工艺程序(包括规范和条件)来完成电路管芯的制作,对成品率的影响是巨大的。例如,对于TTL电路,我们可以对比下边四种程序的安排,就可看出问题的     

电视电路FS_1(HA_(1124))的制造特点

FS_1电路(日本为HA_(1124),系日立公司产品)为彩色电视机的伴音中放电路,由中频限幅放大、FM检波、音量控制、音频驱动和稳压电源等五个部份构成。由于整个音频功率放大器制作在同一单块上,因而有调整简便、使用方便、装配紧凑、适应性强等一系列优点,是我国电视工业所急需的产品。     

金与SiO_2-Si界面处结构缺陷的互作用

本文通过对晶体硅表面热氧化动力学数据的分析,阐明了有关SiO_2-Si界面结构缺陷的来源及其形成条件、形成过程及其特性。唯象地描述了这些缺陷与金的互作用,进一步阐明了金的界面效应。通过分析得出了如下结论:     

静电感应晶体管作用机制的理论研究

针对静电感应晶体管的小电流工作区，从电势方程出发，利用设定的边界条件，导出了二维势函数的近似解析表达式，并以此为据对ＳＩＴ的作用机制进行了系统分析，进而对ＳＩＴ的中，大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论。指出大电流时，ＳＩＴ的电流－电压特性与空间电荷限制效应密切相关。