计算聚合物内压和新溶解度参数的基团贡献法

将298.15 K时各种液态聚合物的内压平方根λ和重复单元的摩尔体积Vm的乘积对它们的van derWaals体积作图时,发现是一条通过坐标原点的直线.这意味着聚合物的λVm具有良好的基团加和性.据此,建立了一个能满意地预测聚合物内压的基团贡献法.结合Small的基团摩尔引力常数,该基团贡献法也能用来计算液态聚合物在298.15 K时的新溶解度参数值.     

相变材料封装技术的研究进展

综述了近年来国内外相变材料胶囊化和复合化两类关键封装技术,分析了各自制备方法的优势和不足,同时提出了相变材料的发展瓶颈及解决办法,展望了未来相变材料的发展方向。     

高温退火对AlN外延材料晶体质量的影响

采用高温退火技术改善金属有机物化学气相沉积AlN薄膜材料晶体质量。研究发现较低的生长温度下,Al原子迁移能力弱,外延呈岛状生长模式,形成大量的柱状晶粒,晶粒倾斜、扭曲,晶格原子排列混乱,存在大量的位错和层错缺陷;高温退火时晶格发生重构,晶粒合并,位错和层错缺陷减少,晶格排列整齐,晶体质量得到提升。通过优化生长温度和退火温度,获得了高质量的200 nm厚AlN模板,其（002）和（102）面的X射线双晶衍射摇摆曲线半高宽分别为107 arcsec和257 arcsec,位错密度比退火前降低了2～3个数量级。     

76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

<正>南京电子器件研究所采用含有双AlGaN过渡层的材料结构在76.2 mm(3英寸)Si衬底上外延生长了厚度超过2μm的AlGaN/GaN HEMT材料(图1),材料表面光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条     

碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808 nm大功率激光器

用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。     

基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件

半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管薄膜材料,突破低维材料常用的湿法转移方法带来的局限,以避免转移过程中薄膜应力不均匀导致的褶皱、破损以及电学性能严重退化等问题,利用不同材料界面间范德华力的差异,开发了碳纳米管薄膜干法转移方法。     

X波段GaN单片电路低噪声放大器

采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器.GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27 dBm.在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件...     

石门揭煤静态爆破致裂煤层增透可行性研究

针对现有石门揭煤预抽瓦斯煤层增透措施可能诱发煤与瓦斯突出的危险隐患,提出了利用静态爆破技术结合合适的钻孔布置来压裂煤体,增加煤体瓦斯运移通道,提高煤层透气性的技术方法;分析了静态爆破的技术原理、力学过程及现场实施的设计等内容.该方法具有安全、无震动、不产生明火的优点,从而确保石门的安全揭煤.该技术的广泛应用将带来显著的...     

岩石受载破坏裂纹扩展带电特性

为了研究岩石破裂过程电位分布特征及其产生机理,利用预制裂纹岩石试样实验测试了裂纹扩展途径的电位信号变化规律及裂纹两侧电位分布特征。结果表明,扩展裂纹的尖端和新形成的裂纹壁面是产生自由电荷的主要位置,在裂纹扩展路径上距离裂纹尖端近处产生的电位信号强度较高,距离远处产生的电位强度较低,裂纹扩展产生的最大电场强度为0.42 V/m;在裂纹扩展过程中裂纹两侧产生的电位信号极性呈正负对应变化,表明裂纹两侧产生的自由电荷性质相反,并交替变化;在裂纹扩展中新生裂纹两侧壁面电荷分离是自由电荷及电位的主导产生机制。裂纹壁面电荷的正负交替及裂纹扩展中两侧壁张翕运动引起的电场变化是煤岩产生电磁辐射的原因。     

基于灰色关联分析的突出预测指标敏感性研究

煤与瓦斯突出的影响因素众多,选取合适的突出预测敏感指标是突出危险准确预测的关键。本文利用灰色理论对煤与瓦斯突出预测指标的敏感性进行了分析,并运用灰色关联优选了九里山矿煤与瓦斯突出预测的敏感性指标。研究结果对煤与瓦斯突出预测具有重要的实际意义。