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聚合物的内压与新溶解度参数 总被引:3,自引:0,他引:3
由文献发表的pVT数据回归得到了许多液态聚合物的Tait方程参数。据此能够获得各种密度下聚合物的等容线。将这些等容线斜率的对数与密度作图,则无例外地发现这些作出的线是很好的直线,故可建立一个聚合物的通用内压方程。它有两个特性常数,分别决定于直线的斜率和截距。它能用来准确地计算298.15K时各种液态聚合物的内压;据此,得到了90个聚合物的新溶解度参数值。 相似文献
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利用建立的煤岩体分级加载扰动试验系统,进行了煤系岩石典型单轴压缩实验、无扰动分级加载试验,以及分别施加不同速率及幅度的扰动载荷的分级加载试验,同步采集声发射(AE)信号,并利用加卸载响应比理论对AE信号进行分析.结果表明,扰动载荷能够使岩石的抗压强度显著降低,施加扰动载荷条件下9个岩样单轴抗压强度降低了20~60kN(约为单轴极限抗压强度的10%~25%);扰动速率的变化(由650N/s增至1kN/s)较载荷大小的变化(由2.5kN增至5kN)对岩样强度影响明显;AE能量与加载路径对应良好,其加卸载响应比随载荷水平的增加存在先减小后增大的趋势. 相似文献
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使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品.研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量.同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方法研究了样品的位错特性,结果表明高压生长的样品能够降低位错密度,起到改善G... 相似文献
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Ku-band GaN power transistor with output power over 100 W under the pulsed operation mode is presented. A high temperature AlN nucleation together with an Fe doped GaN buffer was introduced for the developed GaN HEMT. The AlGaN/GaN hetero-structure deposited on 3 inch SiC substrate exhibited a 2DEG hall mobility and density of ~2100 cm2/(V·s) and 1.0×1013 cm-2, respectively, at room temperature. Dual field plates were introduced to the designed 0.25 μm GaN HEMT and the source connected field plate was optimized for minimizing the peak field plate near the drain side of the gate, while maintaining excellent power gain performance for Ku-band application. The load-pull measurement at 14 GHz showed a power density of 5.2 W/mm for the fabricated 400 μm gate periphery GaN HEMT operated at a drain bias of 28 V. A Ku-band internally matched GaN power transistor was developed with two 10.8 mm gate periphery GaN HEMT chips combined. The GaN power transistor exhibited an output power of 102 W at 13.3 GHz and 32 V operating voltage under pulsed operation mode with a pulse width of 100 μs and duty cycle of 10%. The associated power gain and power added efficiency were 9.2 dB and 48%, respectively. To the best of the authors'' knowledge, the PAE is the highest for Ku-band GaN power transistor with over 100 W output power. 相似文献
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为深入分析煤样受载破裂机制,试验研究了煤样单轴压缩下表面电位变化规律,应用多重分形统计理论分析表面电位信号,计算其多重分形谱,并分析多重分形谱特征参数随加载过程的变化规律。研究结果表明:煤样表面电位信号存在多重分形特征,在较大尺度内满足标度不变性;不同尺寸的试样,表面电位信号多重分形谱呈右钩状;多重分形谱特征参数Δα和Δf的变化规律与试样受载变形破裂过程具有良好的对应关系,Δα和Δf经过较长时间平稳升高后迅速下降的趋势改变可以作为破裂的前兆信息,对试样失稳进行提前预警。 相似文献
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研究了砂岩破裂过程的电位信号规律及其破坏的电位前兆特征,结果表明,砂岩在破裂过程中有电位信号产生,电位信号与试样的变形破裂呈现良好的对应关系;电位信号对加载初期的变形破坏及裂纹的生成比较敏感,声发射在初期比较平淡,在加载后期电位幅值略有降低,而声发射信号大量增加;在试样的加速变形过程中在应变峰值的70%~97%范围内有强脉冲电位信号出现,电位信号的峰前突增可以作为砂岩破坏的前兆特征.通过研究煤岩体破裂过程的电位信号变化规律,可以加深对岩石破裂微观过程的认识,为将来利用电位技术监测隧道岩体稳定性及隧道施工安全提供了基础性研究结果. 相似文献