自组装膜-石墨烯界面修饰及其在电子传递领域中的研究与应用

本研究将兼具自组装膜和石墨烯两者优点的复合材料作用于基底,讨论了具有特殊电化学性能的自组装膜-石墨烯电化学界面信号检测系统。同时,通过对自组装膜-石墨烯构建的以石墨烯为基础的FET(GFETs)结构特性的分析,发现以自组装膜功能化的石墨烯可以提供有效的方式调控其性质,减少界面的不纯散射及滞后的场效应行为。文章还探讨了自组装膜-石墨烯在染料敏化太阳能电池及p-n结领域中的研究与应用,对有机分子自组装膜-石墨烯复合材料在控制界面电子性质的应用前景进行了展望。     

五坐标数控机床在车模加工中的应用

设计了一种单立柱式五坐标数控机床,成本低、尺寸小,主轴采用电主轴,利用高速铣削技术,能快速加工出汽车油泥曲面模型。如果将刀具换成测量头,还可以对汽车模型进行曲面质量检测。这种多功能的设备提高了加工精度和效率,降低了成本,因此该设备具有很高的应用价值。     

石化行业防浪涌保护探究

浪涌电压产生的原因主要有直击雷、感应雷及雷电波入侵、电网或操作过电压。本文介绍了浪涌电压对石化企业生产带来的危害。分析了我国现在防浪涌电压现状。针对浪涌电压产生原因提出了采取安装接闪器、屏蔽网、SPD保护器、等电位连接,整体系统接地等五方面措施防止浪涌电压的产生。这些措施为石化企业的安全生产提供了可靠的保证。     

掺氮类金刚石薄膜激光退火的Raman光谱分析

采用显微拉曼光谱研究的掺氮的类金刚石薄膜,该薄膜分别经过能量密度为300,750和1500W/mm^2氩离子激光的退火处理。分析结果表明氮原子在类金刚石薄膜中形成了C-N键制约了C-H键的形成。由于C-N键的键能比C-H键的键能大得多。因此在激光退火过程中C-N键不易分解,所以随着氮含量的增加,类金刚石薄膜的激光退火后石墨化程度明显降低,具有比较好的热稳定性,而非掺氮的类金刚石薄膜由于C-H键含量比较高,因此激光退火后容易石墨化。     

基于PC总线的多参数测试系统的研制

基于ＰＣ总线建立一套同时利用热电偶、集成温度传感器、电感式传感器的精确的温度、热位移等多参数测量试系统为研究相变复合恒温构件的特征表征,本构关系提供了实验前提。介绍了其系统原理,结构,软硬件设计等。     

三元GaxIn1-xP和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金拉曼光谱研究

测量了室温下三元ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４８）和四元（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）合金背散射配置下的喇曼光谱。三元ＧａｘＩｎ１－ｘＰ的喇曼谱表现为双模形式,在ＤＡＬＡ带上叠加了ＦＬＡ模,在有序样品中观察到了类ＧａＰ的ＴＯ１横和类ＩｎＰ的ＴＯ２模,类ＧａＰ的ＬＯ１模和类ＩｎＰ的ＬＯ２模的分裂,表示有序度的ｂ／ａ比从无序样品的０．４０变化到有序样品的０．１０,有序样品ｂ     

氮化镓薄膜中LO声子—等离子体激元耦合模拉曼光谱研究

对生长在蓝宝石衬底上不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜进行了拉曼散射光谱测量，观察到清晰的LO声子－等离子体激元耕合模的高频支（LPP＋）和低频支（LPP－）及其随掺杂浓度的增加往高频方向的移动，通过进行理论计算和拟合，得到GaN中的等离子体激元的频率及阻尼常数，并由此计算得到GaN中的载流子浓度和迁移率，与红外反射谱测量得到的数据进行了比较，结果表明，2种光谱方法得到的载流子浓度均与霍耳测量相一致。但迁移率比霍耳迁移率要低，接近杂质散射机制下的漂移迁移率。     

shark工作流及在电信资源调拨中的应用

讨论了工作流管理系统的现状、基本概念以及系统模型,阐述了基于shark工作流的资源调拨系统,并介绍了该系统在中国重庆电信公司的具体实现．该资源调拨系统对于有效管理和利用现有通信资源,改善我国电信行业中普遍存在的设备利用率低下的现象具有重要的实践意义．     

Cd1-xZnxTe晶片中Zn组分的室温 显微光致发光平面扫描表征

用显微光致发光（μ-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究．分别在19μm×16μm的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量．对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度等参数,其平面分布对应于CZT中Zn的组分分布．统计的结果给出禁带宽度的不均匀性．对样品进行溴抛光后重复类似的测量,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善,接近了材料组分的真实分布．     

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.